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崔丽秋

作品数：6 被引量：11H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院院长基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇砷化镓
  • 3篇探测器
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇晶格
  • 2篇GAAS/G...
  • 2篇超晶格
  • 1篇导体
  • 1篇电性质
  • 1篇中红外
  • 1篇砷化铝
  • 1篇偏压
  • 1篇强电
  • 1篇强电场
  • 1篇微米
  • 1篇量子
  • 1篇量子化
  • 1篇量子效应
  • 1篇量子阱探测器

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 6篇崔丽秋
  • 6篇江德生
  • 5篇张耀辉
  • 5篇刘伟
  • 3篇宋春英
  • 3篇孙宝权
  • 2篇杨小平
  • 2篇吴文刚
  • 1篇李月霞
  • 1篇徐仲英
  • 1篇徐土杰
  • 1篇王若桢
  • 1篇郑厚植
  • 1篇周增圻
  • 1篇罗昌平
  • 1篇林耀望
  • 1篇夏建白
  • 1篇吕振东
  • 1篇武建青
  • 1篇吴文

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1900
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究被引量：1
1999年
研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－ＧａＡｓ薄膜可大大减小体ＧａＡｓ衬底材料中本征发光的衰减时间，但对（ｅ，Ａ°）发光影响不大．用上转换方法对退火和未退火ＬＴＧ－ＧａＡｓ样品瞬态发光进行了测量，获得了关于ＬＴＧ－ＧａＡｓ中复合中心和陷阱中心的信息．
江德生吕振东崔丽秋周向前孙宝权徐仲英
关键词：光致发光砷化镓分子束外延
GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器被引量：3
1996年
本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，当偏压为２Ｖ时，该探测器的响应切换到８～１２μｍ波段，峰值响应波长为９．０μｍ，８５Ｋ温度下的黑体探测率为１．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ．
张耀辉江德生夏建白刘伟崔丽秋杨小平宋春英郑厚植周增圻林耀望
关键词：红外探测器砷化镓GAALAS探测器
超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运研究
江德生张耀辉宋春英孙宝权崔丽秋刘伟武建青徐土杰罗昌平吴文
对半导体超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运进行了系统和深入的研究，结合流体静压力、变温、光偏置、磁场等条件，在实验和理论上研究了多种超晶格中的Ｗａｎｎｉｅｒ局域化效应，双稳态电光调制，在直流电场作用下稳定高场畴的形成...
关键词：
关键词：量子化超晶格半导体
3～5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应被引量：5
1996年
首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应．分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法：量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场，同时势垒区存在相反的内建电场．
崔丽秋江德生张耀辉刘伟吴文刚王若帧
关键词：红外探测器
GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究被引量：3
1997年
本文综述了有关新型的GaAs／AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作．双色探测器工作在3～5μm及8～12μm大气窗口波段范围，是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件．研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等．首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题．
崔丽秋江德生张耀辉吴文刚刘伟宋春英李月霞孙宝权王若桢
关键词：红外探测器光电性质砷化镓
GaAs／AlAs超晶格Γ－X级联隧穿导致的电场畴
1995年
我们研究了掺杂耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格的级联隧穿，在这种结构中，ＡｌＡｓ层Ｘ能谷中的基态能级位于ＧａＡｓ层中Γ能谷的基态（Ｅ（Γ１）；）和第一激发态（Ｅ（Γ２））能级之间．实验结果证明，这种超晶格中的高电场畴是由Γ－Ｘ级联共振隧穿所形成的，而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的．在这种高场畴中，电子从ＧａＡｓ量子阱的基态隧穿到邻近的ＡｌＡｓ层的Ｘ能谷的基态，然后通过实空间电子转移从ＡｌＡｓ层的Ｘ能谷弛豫到下一个ＧａＡｓ量子阱的Γ能谷的基态．
张耀辉杨小平刘伟崔丽秋江德生
关键词：砷化镓砷化铝超晶格
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