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崔丽秋
作品数:
6
被引量:11
H指数:3
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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合作作者
江德生
中国科学院半导体研究所
刘伟
中国科学院半导体研究所
张耀辉
中国科学院半导体研究所
宋春英
中国科学院半导体研究所
孙宝权
中国科学院半导体研究所
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1篇
1995
1篇
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低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
被引量:1
1999年
研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光.从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰,峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移.此外,发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本征发光的衰减时间,但对(e,A°)发光影响不大.用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量,获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息.
江德生
吕振东
崔丽秋
周向前
孙宝权
徐仲英
关键词:
光致发光
砷化镓
分子束外延
GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器
被引量:3
1996年
本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×109cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3.0×109cm·Hz1/2/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8~12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×109cm·Hz1/2/W.
张耀辉
江德生
夏建白
刘伟
崔丽秋
杨小平
宋春英
郑厚植
周增圻
林耀望
关键词:
红外探测器
砷化镓
GAALAS
探测器
超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运研究
江德生
张耀辉
宋春英
孙宝权
崔丽秋
刘伟
武建青
徐土杰
罗昌平
吴文
对半导体超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运进行了系统和深入的研究,结合流体静压力、变温、光偏置、磁场等条件,在实验和理论上研究了多种超晶格中的Wannier局域化效应,双稳态电光调制,在直流电场作用下稳定高场畴的形成...
关键词:
关键词:
量子化
超晶格半导体
3~5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应
被引量:5
1996年
首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应.分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法:量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场,同时势垒区存在相反的内建电场.
崔丽秋
江德生
张耀辉
刘伟
吴文刚
王若帧
关键词:
红外探测器
GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究
被引量:3
1997年
本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等.首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题.
崔丽秋
江德生
张耀辉
吴文刚
刘伟
宋春英
李月霞
孙宝权
王若桢
关键词:
红外探测器
光电性质
砷化镓
GaAs/AlAs超晶格Γ-X级联隧穿导致的电场畴
1995年
我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Γ能谷的基态(E(Γ1);)和第一激发态(E(Γ2))能级之间.实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Γ-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的.在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Γ能谷的基态.
张耀辉
杨小平
刘伟
崔丽秋
江德生
关键词:
砷化镓
砷化铝
超晶格
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