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尹湘坤

作品数：63 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术矿业工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇矿业工程

主题

  • 32篇硅
  • 23篇滤波器
  • 15篇电感器
  • 13篇电感
  • 12篇通孔
  • 11篇玻璃基
  • 10篇电容
  • 10篇螺旋电感
  • 8篇电容器
  • 8篇同轴
  • 8篇金属
  • 7篇电路
  • 7篇螺旋电感器
  • 7篇互连
  • 7篇毫米波
  • 7篇波导
  • 6篇带通
  • 6篇带通滤波器
  • 6篇W波段
  • 6篇衬底

机构

  • 63篇西安电子科技...

作者

  • 63篇尹湘坤
  • 60篇朱樟明
  • 44篇杨银堂
  • 34篇卢启军
  • 33篇刘晓贤
  • 24篇李跃进
  • 24篇刘阳
  • 24篇丁瑞雪
  • 12篇张涛
  • 1篇李想
  • 1篇王凌
  • 1篇刘红侠
  • 1篇郝跃
  • 1篇王凤娟
  • 1篇刘冰洁
  • 1篇刘建华

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇雷达科学与技...

年份

  • 4篇2023
  • 10篇2022
  • 9篇2021
  • 11篇2020
  • 15篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2010
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于同轴硅通孔的可配置三维微波滤波器
本发明涉及一种基于同轴硅通孔的可配置三维微波滤波器，自上而下依次包括接地层、第一互连层、硅通孔电容层以及第二互连层，其中，第一互连层上设置有多个第一连接件，所述第二互连层上设置有多个第二连接件；所述接地层包括地引出端，所...
尹湘坤朱樟明杨银堂李跃进丁瑞雪
文献传递
应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型被引量：2
2010年
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.
刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃
关键词：应变硅阈值电压解析模型
一种玻璃基高隔离度三维双工器
本发明公开了一种玻璃基高隔离度三维双工器，从上到下依次包括：第一金属层、第一介质层、第二金属层、键合层、第三金属层、第二介质层、第四金属层，其中，键合层和第三金属层位于第二金属层、第二介质层之间的中间位置，粘合层位于键合...
刘晓贤朱樟明刘诺刘阳卢启军尹湘坤杨银堂
文献传递
基于硅通孔的高速三维集成电路关键设计技术研究
随着光刻技术等半导体工艺技术的不断进步，器件的特征尺寸呈现出等比例缩小的趋势，从而带来集成电路的集成度和性能的快速提升。然而，随着半导体器件的特征尺寸减小到纳米量级，集成电路性价比的提升趋势却逐渐变缓，半导体行业的发展面...
尹湘坤
关键词：三维集成电路有限元模型
一种基于硅通孔互连的三维堆叠结构低通滤波器
本发明涉及一种基于硅通孔互连的三维堆叠结构低通滤波器，包括：插指电容器(1)、半导体衬底(3)、若干螺旋电感器(5)和电容接地极板(6)；其中，插指电容器(1)包括电容上极板(12)与电容下极板(11)；半导体衬底(3)...
尹湘坤朱樟明杨银堂李跃进丁瑞雪
文献传递
一种基于玻璃通孔的三维集成滤波器
本发明公开了一种基于玻璃通孔的三维集成滤波器，滤波器包括：第一层，包括第一金属板和第一金属线，所述若干第一金属板与所述第一金属线连接；第二层，包括介质基板和第二金属板，介质基板设置于第一金属板和第一金属线上方，第二金属板...
刘阳刘晓贤卢启军尹湘坤朱樟明杨银堂
文献传递
一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器
本发明涉及一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器，包括从上到下依次相连的顶层模块、硅衬底层模块和底层模块，顶层模块包括顶层第一介质层、顶层接地屏蔽环、顶层第一信号互连柱、顶层接地柱、顶层接地层、顶层介质环、顶层第二信号互...
卢启军朱樟明杨银堂刘晓贤尹湘坤
文献传递
一种耦合式宽带微带到介质集成波导的过渡结构
本发明公开了一种耦合式宽带微带到介质集成波导的过渡结构，包括：第一介质层；第一金属层，位于第一介质层的下方；第二介质层，位于第一金属层的下方；第二金属层，位于第二介质层下方；微带结构，位于第一介质层上表面；介质集成波导结...
张涛朱樟明卢启军尹湘坤刘阳刘晓贤
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一种W波段的高增益功率放大器电路
本发明涉及一种W波段的高增益功率放大器电路，所述高增益功率放大器电路包括级联的N级放大电路，N为大于或者等于2的整数，每一级所述放大电路均包括：输入匹配网络、第一偏置电阻、共射极晶体管、互联电感、共基极晶体管、偏置去耦电...
卢启军常远张涛刘晓贤尹湘坤朱樟明
一种基于硅通孔互连的高密度三维集成螺旋电感器
本发明涉及一种基于硅通孔互连的高密度三维集成螺旋电感器，包括：第一金属层，包括若干第一螺旋子电感；第一介质层，位于第一金属层上；半导体衬底，位于第一介质层上，半导体衬底中设置若干通孔，通孔中设置介质环和金属柱，介质环位于...
尹湘坤朱樟明杨银堂李跃进丁瑞雪
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