尤佳毅
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省产学研前瞻性联合研究项目国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>
- 温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理。利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化;用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系;利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性。研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现。随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7%。同时,硼掺杂硅薄膜的电导率也由700℃退火的1.39×10-6S.cm-1提高至1100℃退火的16.41 S.cm-1,增大了7个数量级。
- 张磊沈鸿烈尤佳毅
- 关键词：快速热退火多晶硅薄膜电导率
- 石墨烯与碳//钛多层膜的制备与性能研究
- 石墨烯具有优异的性能，自其被人们发现以来就广受关注，化学气相沉积法作为生长大面积、高质量石墨烯的首选方法，已经成为石墨烯材料制备领域的研究热点。非晶碳膜与金属钛构成的多层膜结构具有奇特的电学、光学性能，长年被人们所忽视，...
- 尤佳毅
- 关键词：石墨烯热丝化学气相沉积等离子体辅助非晶碳膜
- 文献传递
- 固态碳源温度对CVD法生长石墨烯薄膜影响的研究被引量：2
- 2015年
- 以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接影响了气相碳源浓度,通过控制固态碳源温度,可以控制所得石墨烯的层数。固态碳源动态变温生长能够在生长的起始阶段降低石墨烯形核密度,同时打破晶粒长大时氢气刻蚀速率与石墨烯生长速率的动态平衡,可以有效地提升石墨烯的覆盖率。最终在衬底温度为1000℃条件下使用固态碳源动态变温制备了I2D/IG达到2.91,透过率为97.6%的高质量单层石墨烯薄膜。
- 尤佳毅沈鸿烈吴天如谢晓明
- 关键词：石墨烯化学气相沉积
- 快速热退火温度对纳米晶氢-硅薄膜及其p-n结性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用快速热退火(RTA)对热丝化学气相沉积HWCVD制备的非晶氢-硅(a-Si:H)薄膜进行晶化处理,并在此基础上制备了纳米晶氢-硅(nc-Si:H)薄膜p-n结。利用拉曼(Raman)光谱、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计研究了所制备(nc-Si:H)薄膜的结构、光学性能与退火温度的关系;同时,研究了不同RTA条件下制备p-n结的整流特性随温度变化的规律。研究发现,随RTA温度由700℃升高至1 100℃,薄膜的晶化率由46.3%提高到96%,拉曼峰半高宽(FWHM)由19.7cm-1降低至7.1cm-1。当退火温度为700℃时,薄膜的XRD谱中只有一个较弱的Si(111)峰;当退火温度高于900℃时,薄膜的XRD谱中除Si(111)峰外,还出现了Si(220)、Si(311)峰。同时,随退火温度的升高,薄膜的禁带宽度由1.68eV升高至2.05eV。由于禁带宽度的增加,相应的p-n结最高工作温度也由180℃升高至300℃。
- 张磊沈鸿烈陈伟龙尤佳毅
- 衬底偏压对HWCVD制备纳米晶硅薄膜结晶性的影响
- 2015年
- 通过在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备纳米晶硅薄膜过程中施加衬底偏压,研究衬底偏压对HWCVD制备纳米晶硅薄膜结晶性能的影响。利用拉曼(Raman)光谱,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备的纳米晶硅薄膜的结构性能进行分析。结果表明,与未施加衬底偏压的薄膜相比,当衬底偏压为-300V时,薄膜的晶化率由42.2%升高至46.2%;当衬底偏压升高至-600V时,晶化率又降至40.6%;未施加衬底偏压与施加-300V偏压的纳米晶硅薄膜表面由长约200nm、宽约100nm的晶粒构成,-600V衬底偏压的薄膜表面晶粒尺寸明显变小,并且出现大量非常细小的晶粒。分析产生上述现象的原因,主要与高温热丝发射电子、电子在电场作用下加速运动并与反应气体、基团碰撞发生能量传递有关。
- 张磊张磊沈鸿烈尤佳毅钱斌
- 关键词：结晶度
- 一种在低温衬底上制备石墨烯薄膜的方法
- 本发明公开一种用热丝CVD法在低温金属铜薄膜衬底上制备石墨烯的方法，制备的石墨烯薄膜为石墨烯纳米晶。包括如下过程：(1)在石英衬底上用磁控溅射法沉积铜薄膜；(2)将沉积的铜薄膜进行退火；(3)在退火后的铜薄膜上，采用热丝...
- 沈鸿烈尤佳毅唐群涛
- 文献传递
- 铜衬底上热丝CVD法低温生长石墨烯薄膜的研究被引量：7
- 2014年
- 以乙炔作为碳源,抛光铜片作为衬底,采用热丝CVD法低温生长了石墨烯。通过拉曼散射光谱和紫外-可见分光光度计分析了样品的性能。结果表明,灯丝温度的提高有助于乙炔分解为对石墨烯晶粒形核生长比较有利的含碳活性基团。衬底温度的升高增强了铜衬底对石墨烯生长的催化作用。通过调整气体流量中乙炔的比例,可以有效降低石墨烯薄膜的层数。最终在乙炔浓度为2%,衬底温度为450℃的低衬底温度条件下制得了的单层石墨烯纳米晶薄膜。
- 尤佳毅沈鸿烈李金泽
- 关键词：石墨烯热丝化学气相沉积
