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姜春香

作品数:5 被引量:12H指数:2
供职机构:山东大学信息科学与工程学院光学工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇荧光粉
  • 1篇单晶
  • 1篇低压
  • 1篇电镜
  • 1篇阴极射线
  • 1篇射电
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇透射电镜
  • 1篇微缺陷
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇键合
  • 1篇键合金丝
  • 1篇后处理
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光亮度
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 3篇电子工业部
  • 2篇山东大学
  • 2篇天津理工学院
  • 1篇电子部

作者

  • 5篇姜春香
  • 2篇熊光楠
  • 2篇张飒飒
  • 2篇李岚
  • 1篇张东
  • 1篇齐芸馨

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇天津理工学院...
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇第五届华北、...

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1993
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
影响 YAGG : Tb 荧光粉发光亮度因素的研究被引量:2
1997年
粉末荧光粉的发光亮度与合成条件、处理方法密切相关,本文通过长期研究确定了投影电视用绿色荧光粉YAGG:Tb的最佳灼烧温度在1500℃左右,当用弱酸和有机溶剂先后处理之后,可以将发光亮度提高35%,荧光粉颗粒细小均匀,分散性和流动性均达到较高水平.
李岚熊光楠姜春香张飒飒
关键词:荧光粉发光亮度后处理
蓝色低压阴极射线荧光粉ZnS:Zn,Pb的研究被引量:8
1997年
研制的阴极射线用低压蓝色荧光粉ZnSZn,Pb的亮度高于现行使用的ZnSZn,与ZnOZn相近,且发光峰值位置接近ZnSZn.当与粒径为荧光粉颗粒的二分之一的In2O3混合时,其临界电压从80V降低到8V.这种荧光粉将适用于场发射显示器件中.
李岚张东熊光楠姜春香张飒飒
关键词:场发射阴极射线低压荧光粉硫化锌
键合金丝透射电镜样品制备方法
一、前言键合金丝是集成电路的内引线材料,其质量的优劣直接影响了集成电路的性能。研究这种材料的组织状态与性能的关系是使其工业生产自动化的必要途径。然而,键合金丝的直径通常在(?)20-60μm之间,这使得透射电镜薄膜样品的...
王利杰丁丽王香全姜春香齐云馨
关键词:键合金丝
文献传递
半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量研究被引量:2
1995年
研究了50.8mm液封直拉非掺杂半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的显微特征,率先提出了一种定量表征微缺陷的新方法,揭示了AB微缺陷在单晶各部位的分布规律。
齐芸馨姜春香
关键词:微缺陷砷化镓单晶半导体材料
变容二极管失效分析
变容二极管是一种利用PN结电容随外加电压的非线性变化的特性而制成的可变电抗半导体器件,产品主要为彩电、录像机及各种军用通迅整机配套。目前国产变容二极管的质量较以前相比,有较大提高,但同日本产品相比,还有相当差距。本实验就...
姜春香
关键词:变容二极管
文献传递
共1页<1>
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