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国云川

作品数:40 被引量:25H指数:4
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信医药卫生自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 23篇会议论文
  • 13篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 35篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 12篇放大器
  • 9篇晶体管
  • 6篇低噪
  • 6篇低噪声
  • 6篇电路
  • 6篇无源
  • 6篇功率放大
  • 6篇功率放大器
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇噪声
  • 5篇迁移率
  • 5篇混频
  • 5篇混频器
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 5篇GAN
  • 4篇氮化镓
  • 4篇低噪声放大器
  • 4篇镜像抑制
  • 4篇镜像抑制混频...

机构

  • 40篇电子科技大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇四川大学

作者

  • 40篇国云川
  • 28篇徐锐敏
  • 18篇徐跃杭
  • 9篇延波
  • 5篇罗熙
  • 4篇兰贵林
  • 3篇付文丽
  • 3篇陈勇波
  • 3篇吴韵秋
  • 3篇黄文
  • 2篇胡澹
  • 2篇刘莹
  • 2篇苗凯
  • 2篇邱义杰
  • 1篇杨光
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  • 1篇武鑫
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  • 1篇钟伟
  • 1篇黄昆

传媒

  • 9篇微波学报
  • 2篇2008年全...
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  • 2篇2016年全...
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  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇微电子学
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  • 1篇2015年全...

年份

  • 1篇2022
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
40 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型被引量:1
2007年
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。
徐跃杭徐锐敏延波国云川王磊
关键词:4H-SICMESFETI-V特性解析模型
一种用三维场仿真软件模拟二极管的新方法
2010年
提出了一种利用三维场仿真软件AnsoftHFSS模拟二极管的新方法,解决了常用的仿真软件无法模拟利用场的正交性来构成平衡结的一类空间混合集成电路的问题。利用该方法,可在场仿真软件中直接进行该类型电路的整体设计和仿真,提高了设计的效率和准确性。利用AnsoftHFSS中的阻抗边界代替二极管,将阻抗边界的值设定为二极管的阻抗值,进行其匹配电路的仿真设计。制作了一款U波段鳍线单平衡混频器,在40~60GHz频率范围内,混频器射频端口回波损耗的测试结果与仿真结果吻合良好,验证了该方法的可行性。
陈勇波徐锐敏黄文国云川张勇
关键词:二极管仿真回波损耗
一种宽带无源二倍频器MMIC的研究
基于Ga As肖特基二极管工艺,设计了一款输出频率为8~16GHz的无源二倍频单片微波集成电路(MMIC)。该倍频器的核心是四只性能一致的肖特基势垒二极管构成的桥形堆,输入输出则采用了适于宽带匹配的巴伦结构。把输入信号转...
陈奉云国云川徐锐敏
文献传递
S波段高效率内匹配功率放大器设计被引量:1
2014年
氮化镓(Ga N)作为新一代半导体材料,具有输出功率大和效率高等特点,因此,Ga N微波功率器件成为近几年研究的热点。随着Ga N功放管的功率不断提高,以Ga N为基础的微波功率器件在应用上取得了很大的进步。本文针对Ga N功放管的特点和现状进行了介绍,利用二次谐波控制技术和功率合成技术设计了S波段高效率内匹配功率放大器。电路采用南京电子器件研究所自主研发的栅宽为12mm的Ga N HEMT,设计的内匹配功率放大器在2.7~3.5GHz频带内,输出功率大于47d Bm,功率增益大于10d B,功率附加效率达到70%。
欧荣德徐跃杭国云川徐锐敏
关键词:S波段GAN内匹配功率放大器
一种简单高效的SiC MESFET寄生参数提取新方法
本文提出了一种新的SiC MESFET寄生参数提取方法,所有寄生参数仅需一组单偏置COLD FET反向截止条件下的测量S参数便可提出。文章首先在频带低端(f<5GHz)推导出寄生PAD电容C与C满足的数学表达式,然后以此...
黄文国云川徐跃杭徐锐敏
关键词:寄生参数小信号建模
文献传递
栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管
本实用新型公开了一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管,属于半导体器件领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和源场板;还包括栅漏区凹槽,所述栅漏区凹槽是在栅漏区沿栅极边缘、...
徐跃杭付文丽延波国云川徐锐敏
文献传递
一种基于支持向量机的FET非线性建模方法
提出了一种基于支持向量机(SVM)的FET非线性等效电路建模方法。本征元件模型建立采用Taylor级数展开式,其系数直接由各元件的支持向量回归(SVR)模型预测结果得出,具有较好物理意义。利用该方法建立了SiCMESFE...
徐跃杭国云川徐锐敏延波夏雷
关键词:支持向量机等效电路谐波特性电路建模
文献传递
新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型
2010年
基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义,其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好,从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。
刘莹国云川黄文
关键词:4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管大信号模型遗传算法
W波段波导双模带通滤波器的设计
本文提出了一种W波段波导双模带通滤波器的设计方法,并用模式匹配法对此种结构的滤波器进行了分析。仿真结果表明该滤波器具有低插损,高回波损耗和良好的频率选择性,而且此种高性能滤波器不需要传统的复杂的调谐螺钉。
苗凯徐锐敏国云川
关键词:W波段双模带通滤波器
文献传递
四次谐波镜像抑制混频器中无源部分的设计
本文介绍了四次谐波镜像抑制混频器中无源部分的设计,无源部分包括了双巴伦和兰格电桥。通过ADS软件进行相关的仿真,最终实现了巴伦在频段7.9~9.5GHz的幅度不平衡度小于0.2dB,相位不平衡度小于1°,在中心频率8.7...
罗熙国云川徐锐敏
关键词:插损
共4页<1234>
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