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周志华

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 9篇催化
  • 9篇催化剂
  • 7篇光催化
  • 7篇光催化剂
  • 6篇纳米
  • 4篇铜锌
  • 4篇硫化
  • 4篇硫化钼
  • 4篇硅衬底
  • 4篇二硫化钼
  • 4篇硫
  • 4篇衬底
  • 3篇氙灯
  • 3篇氯金酸
  • 3篇晶格
  • 3篇晶格失配
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇等离子体
  • 2篇盐溶

机构

  • 30篇电子科技大学

作者

  • 30篇周志华
  • 29篇王志明
  • 27篇李含冬
  • 21篇巫江
  • 18篇姬海宁
  • 18篇牛晓滨
  • 11篇高磊
  • 11篇戴丽萍
  • 11篇张平安
  • 10篇李勇
  • 10篇张忠阳
  • 4篇李玉兰
  • 3篇李辉
  • 3篇罗思源
  • 3篇王高云
  • 3篇丁庆华
  • 3篇吴杰
  • 3篇刘德胜
  • 3篇何银春
  • 3篇申超群

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型高效可活动射频等离子体放电管
本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置...
李含冬李勇任武洋高磊张忠阳龙城佳姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
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一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法
本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待...
李含冬张忠阳王志明任武洋李勇龙城佳周志华姬海宁牛晓滨
一种以Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法
本发明公开了一种以Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>肖特基接...
李含冬高磊李辉王高云罗思源任武洋艾远飞巫江周志华王志明
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一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法
本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待...
李含冬张忠阳王志明任武洋李勇龙城佳周志华姬海宁牛晓滨
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一种二硫化钼纳米花的水热合成方法
本发明公开了一种二硫化钼纳米花的水热合成方法，主要是将无机钼源、有机硫源以及适当的还原剂加入去离子水中混合均匀后移到啊反应高压釜中，高温加热24小时。所得溶液经过多次洗涤，离心分离，最后干燥得到黑色固体粉末即是二硫化钼纳...
周志华林越来张平安李含冬巫江王志明
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一种基于LED阵列光通信的数据传输系统及方法
本发明公开了一种基于LED阵列光通信的数据传输系统及方法，包括发射模块、接收模块、数据处理模块、同步模块、编码与解码模块、校准模块、环境监测模块以及控制管理模块；所述发射模块用于控制LED阵列的电流，并将要传输的数字信号...
栗华杰鲁力黄世泽周志华付南鑫
一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法
本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管...
李含冬龙城佳任武洋高磊张忠阳李勇姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
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一种响应可见光的光解水制氢催化剂及其制备方法
本发明公开了一种光解水制氢催化剂及其制备方法，属于光催化技术领域。所述催化剂由贵金属M和黄铜矿四元化合物Cu<Sub>2</Sub>ZnSnX<Sub>4</Sub>复合得到，贵金属M为Au或Pt，黄铜矿四元化合物Cu<...
王志明张平安林越来周志华牛晓滨巫江李含冬姬海宁
一种以Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法
本发明公开了一种以Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>肖特基接...
李含冬高磊李辉王高云罗思源任武洋艾远飞巫江周志华王志明
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一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置
一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3化合物和硅衬底分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口，密封石英管并抽真空；步骤3.加热石英...
李含东高磊李辉王高云罗思源任武洋艾远飞巫江周志华王志明
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