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叶澍

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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电化学沉积法
  • 1篇电位
  • 1篇铜铟硒
  • 1篇铜铟硒薄膜
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇恒电位

机构

  • 1篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 1篇叶澍
  • 1篇胡跃辉
  • 1篇胡飞
  • 1篇文思逸

传媒

  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe_2吸收层
2012年
采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2(CIS)薄膜。通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜。结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比。而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比。
胡飞叶澍文思逸胡跃辉
关键词：铜铟硒薄膜
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