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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇应力
  • 2篇应力集中效应
  • 2篇芯片
  • 2篇过载
  • 2篇感器
  • 2篇
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇微压
  • 1篇微压传感器
  • 1篇芯片结构
  • 1篇敏感电阻
  • 1篇晶片
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅单晶片
  • 1篇传感器芯片

机构

  • 2篇沈阳仪表科学...

作者

  • 2篇张纯棣
  • 2篇陈琳
  • 2篇刘芙
  • 2篇唐慧
  • 2篇张治国
  • 2篇郑东明
  • 2篇徐长伍
  • 2篇梁峭
  • 2篇徐淑霞
  • 2篇常伟

年份

  • 2篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及制造方法
高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及方法,其特征在于梁—单岛双面双片微结构:上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻,浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘;上芯片背面,相对于浅槽部位,剩余膜片厚度与中心方形支撑相连,即为单硬芯...
徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
文献传递
一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构
一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构,其特征在于梁—单岛双面双片微结构:上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻,浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘;上芯片背面,相对于浅槽部位,剩余膜片厚度与中心方形支撑相连,即为单硬...
徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
文献传递
共1页<1>
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