刘维峰
- 作品数：20 被引量：65H指数：5
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科学技术基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种太阳能电池表面低温钝化方法
- 本发明涉及硅太阳能电池的钝化技术领域，公开了一种太阳能电池表面低温钝化方法，将氧气O<Sub>2</Sub>或水蒸汽H<Sub>2</Sub>O与氧气O<Sub>2</Sub>的混合物作为反应源，加入调节钝化层折射率的反...
- 刘维峰边继明申人升朱慧超
- 文献传递
- 衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响被引量：5
- 2007年
- 利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降。四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰。PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率。
- 赵子文胡礼中张贺秋孙景昌刘维峰骆英民霍炳至
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积衬底温度
- p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望被引量：15
- 2006年
- ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景。
- 王新胜杨天鹏刘维峰徐艺滨梁红伟常玉春杜国同
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂第一性原理MOCVDMBE
- ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析被引量：17
- 2006年
- 采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:A l(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数A l2O3)陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征。得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω.cm。
- 徐艺滨杜国同刘维峰杨天鹏王新胜
- 关键词：射频磁控溅射透明导电薄膜
- 一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件
- 本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上，采用射频磁控溅射方法，依次生长绝缘层（如：SiO<Sub>2</Sub>、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
- 边继明张志坤秦福文刘维峰骆英民
- 文献传递
- 超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究被引量：7
- 2007年
- 采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结．以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结．采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn／Au和Au／Ge／Ni电极而获得发光二极管原型器件,在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象．
- 边继明刘维峰胡礼中梁红伟
- 关键词：ZNO薄膜电致发光
- ZnO－GaN复合衬底GaN发光器件及其制备方法
- 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，本发明涉及一种ZnO－GaN复合衬底的GaN发光器件及其制备方法。其特征是器件由衬底、GaN缓冲层，n－GaN下限制层，InGaN多量子阱有源层，p－GaN上限制层，p－Ga...
- 杜国同胡礼中秦福文刘维峰杨天鹏
- 文献传递
- 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法
- 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统生长p型ZnO薄膜的工艺方法，其特征是，将掺杂源气体NO由掺杂源气路输入...
- 杜国同胡礼中杨天鹏刘维峰
- 文献传递
- 石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
- 2014年
- 本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料，即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现在室温条件下，准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射，基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光，并且这种低维ZnO材料／石墨衬底复合结构在300～800nm光谱范围内具有较低的反射率。本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义。
- 张志坤章俞之边继明孙景昌秦福文刘维峰骆英民
- 关键词：ZNO光致发光
- 基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展被引量：6
- 2008年
- 部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势。
- 方思麟于书文刘维峰刘爱民
- 关键词：窄带
