公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响: 1999年; 研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）膜，富硼的硼氮膜（ＢＮ０．５）和硼膜（Ｂ）的成分及结构的影响．用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０．５和Ｂ膜；然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ）技术，在５０ｋＶ的基体脉冲负偏压下注入氮．用ＦＴＩＲ透射谱分析膜在氮离子注入前后结构的变化，用ＸＰＳ分析膜的成分分布．结果表明：在ｃ－ＢＮ膜中注入氮离子几乎不改变膜的ＮＢ，但膜中ｃ－ＢＮ的含量略有增加；对于ＢＮ０．５膜，注入氮后，ＮＢ略有提高，膜的ａ－ＢＮ的结晶化提高；而在硼膜中注入氮后，氮在膜中呈类似高斯分布，最高氮浓度ｒ（Ｎ）达２３％，膜中形成了非晶态的氮化硼（ａ－ＢＮ）结构．此外，在以上各种膜上注入氮后，膜基界面都有不同程度的成分混合．; 田晶泽夏立芳刘立民李刘和马欣新孙跃; 关键词：单晶硅离子注入氮化硼

全选清除导出

共1页<1>

刘立民