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刘建影

作品数:61 被引量:38H指数:4
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 50篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 31篇纳米
  • 20篇纳米管
  • 17篇碳纳米管
  • 14篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 11篇微电子
  • 10篇电子封装
  • 9篇无铅
  • 9篇封装
  • 8篇无铅焊
  • 7篇散热
  • 7篇芯片
  • 6篇导热
  • 6篇电路
  • 6篇电子封装技术
  • 6篇电子器件
  • 6篇散热材料
  • 5篇电子工业
  • 5篇竖直
  • 5篇碳纳米管阵列

机构

  • 61篇上海大学
  • 3篇查尔姆斯理工...
  • 1篇黄山学院
  • 1篇华为技术有限...

作者

  • 61篇刘建影
  • 14篇路秀真
  • 12篇张燕
  • 7篇高玉来
  • 7篇翟启杰
  • 5篇陈思
  • 4篇袁志超
  • 4篇张利利
  • 4篇鲍婕
  • 3篇邹长东
  • 2篇夏心志
  • 2篇崔会旺
  • 2篇张东升
  • 2篇姜迪
  • 2篇龚永勇
  • 2篇常江
  • 2篇鞠国魁
  • 2篇张勇
  • 2篇韦习成
  • 2篇上官东恺

传媒

  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇计量与测试技...
  • 1篇材料工程
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇应用基础与工...
  • 1篇中国力学学会...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种羟基磷灰石表面生长图案化石墨烯膜的方法
本发明涉及一种羟基磷灰石表面生长图案化石墨烯膜的方法。首先,使用电子束蒸发法在羟基磷灰石陶瓷基体上形成图案化的铜层;然后,通过在这些图案化表面催化分解烃类化合物,从而在材料表面生长图案化石墨烯薄膜层;最后,验证了在材料上...
刘建影常江
碳纳米管簇的干法密实化方法
本发明公开了一种碳纳米管簇的干法密实化技术。由于CVD合成的碳纳米管处于稀松排列的状态,在很多使用碳纳米管簇作为导电或导热途径的应用中,多孔性使其优势和潜力无从体现。因此对碳纳米管簇进行密实化处理是非常重要的。本发明提供...
刘建影
低温烧结纳米银浆热导率测试样品的制备方法
本发明公开了一种低温烧结纳米银浆热导率测试样品的制备方法,步骤如下:制备纳米银浆;将圆形模具粘在热释放胶带上,加入纳米银浆充满整个模具;将纳米银浆中的有机溶剂烘干;在工作台上按压的纳米银浆,再继续加入纳米银浆使其充满整个...
柯炜刘建影路秀真黄时荣
文献传递
垂直碳纳米管阵列与纳米银浆复合互连材料及其制备方法
本发明提供一种垂直碳纳米管阵列与纳米银浆复合互连材料及其制备方法。本发明复合材料由垂直碳纳米管阵列与纳米银浆组成,碳纳米管致密化后在其间隙内填充纳米银浆,利用纳米银浆的高导热率降低碳纳米管的界面热阻,制备方法是使用热释放...
路秀真孙永倩刘建影
文献传递
二元无铅焊膏
本发明涉及一种用于电子元器件焊接及表面封装的二元无铅焊膏,它是在微米无铅焊膏基础上添加纳米粉末,该焊膏的组成以质量百分计为:微米无铅焊膏90~99.9%,纳米粉末0.1~10%,其中纳米粉末是普通无铅焊料的纳米粉末,或是...
刘建影张利利陈思张燕翟启杰高玉来
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界面金属间化合物对铜基Sn-3.0Ag-0.5Cu焊点拉伸断裂性能的影响被引量:12
2007年
研究了Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu焊点在(150±1)℃时效温度下,0~1000h不同时间时效后焊点的拉伸断裂性能以及界面金属间化合物(IMC)的组织形态和成分。结果表明:随着时效时间的延长,焊点拉伸强度降低,拉伸断裂主要发生于Solder/IMC界面或/和IMC/IMC界面,而且断口形貌逐渐由韧窝状断口为主向解理型脆性断口转变。SEM研究发现,时效过程中界面IMC不断长大、增厚并呈针状或块状从Cu/Solder界面向焊点心部生长,时效1000h的焊点中IMC分层明显。半焊点结构为Cu/Cu3Sn/Cu6Sn5/Solder,同时,在靠近铜基体的IMC中有Kirkendall空洞存在。
鞠国魁韦习成孙鹏刘建影
关键词:金属间化合物多层结构
低熔点纳米无铅焊料合金的制备方法
本发明涉及一种低熔点纳米无铅焊料合金粉末的制备方法,属无铅焊料合金及电子封装技术领域。本发明的工艺过程和步骤如下:①将Sn基无铅焊料母合金制成棒状电极的阴极和阳极;②将上述阴极和阳极通过电极夹具放在电槽中,电槽内放有液体...
高玉来翟启杰邹长东李仁兴夏心志龚永勇刘建影
文献传递
实现高密度硅通孔互联的微电子芯片及其制造方法
本发明公开了一种实现高密度硅通孔互联的微电子芯片,在硅裸芯片上密集制造硅通孔,形成高密度硅通孔阵列,将碳纳米管材料加工成致密碳纳米管束,将不同的致密碳纳米管束分别对应插入不同的硅通孔,形成致密碳纳米管束阵列,在硅通孔和致...
刘建影
文献传递
二维层状六方氮化硼在芯片散热中的应用被引量:10
2016年
层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积法制备的单层h-BN薄膜和微米级h-BN颗粒转移到热测试芯片表面,通过加载不同功率,观察h-BN对芯片散热性能的影响.采用电阻-温度曲线法和红外热像仪两种方法对热测试芯片的热点温度进行检测.研究结果表明,h-BN应用到热测试芯片表面,在加载功率约为1W时,可以将芯片热点温度降低3~5℃,从而提高芯片散热效率,并且通过对比发现单层h-BN薄膜表现出更为理想的散热效果.
鲍婕张勇黄时荣孙双希路秀真符益凤刘建影
关键词:氮化硼散热
金属间化合物纳米颗粒的制备工艺
本发明涉及材料制备领域,公开了一种金属间化合物纳米颗粒的制备工艺,首先将两根金属间化合物棒材分别与电弧放电设备的电源的正极和负极相连,接着将两根金属间化合物棒材浸没于电弧放电设备的水槽中的无溶解氧去离子水中,然后接通电弧...
刘建影
文献传递
共7页<1234567>
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