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冯欧: 作品数：10 被引量：9H指数：2; 供职机构：南京电子器件研究所更多>>; 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信电气工程更多>>

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5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端被引量：1: 2006年; 焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂; 关键词：单片集成 PHEMT GAAS MSM

10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver: 2007年; A single power supply common-gate （CG） current mode transimpedance preamplifier （TIA） is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gain of 45dBΩ. Both the input and output voltage standing wave ratios （VSWR） are less than 2 within the bandwidth. The equivalent input noise current spectral density varies from 14.3 to 22pA/√Hz, with an average value of 17. 2pA/√Hz. Having a timing jitter of 14ps and eye amplitude of about 138mV,the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence （PRBS） is clear and satisfactory.; 焦世龙叶玉堂陈堂胜冯欧蒋幼泉范超李拂晓; 关键词：PREAMPLIFIER

基于GaAs PIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片: 采用3英寸圆片GaAs PIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAs PIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25～40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,...; 蒋东铭陈新宇蒋幼泉黄子乾冯欧; 关键词：毫米波 GAAS PIN二极管单刀单掷开关单片; 文献传递

1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片被引量：2: 2007年; 采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。; 陈新宇冯欧蒋幼泉许正荣黄子乾李拂晓; 关键词：砷化镓 PIN二极管开关单片

光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3: 2010年; 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。; 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂; 关键词：集成光学限幅放大器

单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：2: 2008年; 利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。; 冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂; 关键词：单片集成分布放大器光接收机眼图

砷化镓基毫米波MEMS开关表面工艺研究: 2012年; 研究了砷化镓基毫米波MEMS开关的表面工艺方法,包括MEMS开关的工艺流程中的牺牲层技术、结构层技术、触点技术、薄膜电阻技术。重点阐述了以光敏聚酰亚胺作牺牲层和以电镀金作结构层的工艺制作方法。形成了砷化镓RF MEMS开关表面工艺流程,制作出了RF MEMS开关样品。开关驱动电压为60 V,35 GHz时的插入损耗<0.2 dB,隔离度>18 dB。; 姜理利贾世星冯欧朱健; 关键词：射频微机电系统开关牺牲层技术

5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量：3: 2007年; 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.; 焦世龙陈堂胜钱峰冯欧蒋幼泉李拂晓邵凯叶玉堂; 关键词：分布放大器光接收机眼图

一种850nm单片集成光接收机前端: 2007年; 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。; 冯欧冯忠杨立杰焦世龙蒋幼泉陈堂胜李拂晓叶玉堂; 关键词：跨阻前置放大器光电集成电路眼图

OEIC台面腐蚀工艺研究: 2009年; 深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。; 范超栗锐陈堂胜杨立杰冯欧冯忠陈辰焦世龙叶玉堂; 关键词：光电集成电路