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冯培忠

作品数:185 被引量:287H指数:10
供职机构:中国矿业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术化学工程冶金工程更多>>

文献类型

  • 98篇专利
  • 60篇期刊文章
  • 23篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 32篇金属学及工艺
  • 26篇一般工业技术
  • 20篇化学工程
  • 17篇冶金工程
  • 8篇文化科学
  • 8篇理学
  • 7篇环境科学与工...
  • 4篇电气工程
  • 4篇建筑科学
  • 2篇矿业工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 45篇硅化钼
  • 44篇二硅化钼
  • 20篇陶瓷
  • 20篇合金
  • 19篇多孔
  • 16篇热元件
  • 16篇金属
  • 16篇高温
  • 15篇涂层
  • 15篇化物
  • 15篇发热元件
  • 15篇SUB
  • 14篇MOSI
  • 13篇复合材料
  • 11篇等离子
  • 11篇放电等离子
  • 10篇电泳沉积
  • 10篇抗氧化涂层
  • 10篇瓷层
  • 9篇多孔材料

机构

  • 166篇中国矿业大学
  • 26篇北京科技大学
  • 3篇西北有色金属...
  • 2篇中国煤炭地质...
  • 2篇中国人民解放...
  • 2篇江苏北矿金属...
  • 1篇淮南师范学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇天津理工大学
  • 1篇中国矿业大学...
  • 1篇湖南柿竹园有...
  • 1篇安徽省隆达建...

作者

  • 184篇冯培忠
  • 70篇王晓虹
  • 46篇强颖怀
  • 25篇任宣儒
  • 24篇牛继南
  • 19篇曲选辉
  • 18篇郭立童
  • 13篇欧雪梅
  • 12篇沈承金
  • 12篇刘伟生
  • 12篇孙智
  • 12篇张平
  • 10篇杜学丽
  • 10篇武杰
  • 10篇刘章生
  • 10篇刘炯天
  • 8篇张生辉
  • 8篇陈辉
  • 8篇陶雪钰
  • 8篇刘学梅

传媒

  • 9篇稀有金属材料...
  • 3篇粉末冶金技术
  • 3篇山东化工
  • 3篇无机化学学报
  • 3篇粉末冶金工业
  • 2篇中国资源综合...
  • 2篇金属热处理
  • 2篇材料热处理学...
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇轧钢
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇轻合金加工技...
  • 1篇黑龙江教育学...
  • 1篇煤矿机械
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇耐火材料
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇电镀与环保
  • 1篇电镀与涂饰

年份

  • 14篇2024
  • 12篇2023
  • 11篇2022
  • 9篇2021
  • 10篇2020
  • 3篇2019
  • 19篇2018
  • 9篇2017
  • 11篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 9篇2013
  • 9篇2012
  • 10篇2011
  • 11篇2010
  • 6篇2009
  • 4篇2008
  • 8篇2007
  • 5篇2006
  • 6篇2005
185 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于油相Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶的耐高温聚丙烯复合电介质材料及其制备方法
本发明公开了一种基于油相Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶的耐高温聚丙烯复合电介质材料及其制备方法。通过非水解溶胶凝胶法制备三辛基氧膦修饰的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>...
李世恒冯培忠张保敬蔡子明朱超琼
液相烧结法制备MoSi_(2)改性HfB_(2)-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层被引量:2
2022年
将原位反应法和浆料法相结合,开发了一种液相烧结法,制备了涂层组分、含量和厚度可控的HfB2-MoSi_(2)-SiC涂层,研究了MoSi_(2)含量对HfB2-MoSi_(2)-SiC复合涂层在室温~1500℃动态有氧环境以及1500℃静态恒温空气下的氧化防护行为的影响,提出了利用相对氧气渗透率表征涂层的抗氧化保护能力。室温~1500℃的动态氧化测试结果表明,随着MoSi_(2)含量的增加,试样的起始氧化失重从775℃延迟到821℃,最大失重速率从0.9×10^(−3) mg·cm^(−2)·s^(−1)降低到0.2×10^(−3) mg·cm^(−2)·s^(−1),最低相对氧气渗透率降低至12.2%,失重率从1.8%降为0.21%。揭示了MoSi_(2)增强涂层抗氧化保护能力的机理,随着MoSi_(2)含量的增加,涂层中SiO2玻璃相的生成量增加,促进了涂层表面Hf氧化物的弥散,从而形成具有更高稳定性的Hf-Si-O复相玻璃层,使得试样在1500℃静态恒温空气下氧化200 h的失重率从0.46%降低到0.08%,显著提升了涂层的抗氧化保护能力。
任宣儒王炜光孙科胡昱雯徐磊华冯培忠
关键词:涂层
铌合金化二硅化钼的制备、组织与室温韧性
以Mo、Nb和Si粉末为原料,通过燃烧合成方法制备了MoSi2、(Mo0.97 Nb0.03)Si2、(Mo0.94Nb0.06) Si2及(Mo0.91 Nb0.09) Si2材料.燃烧合成反应温度随Nb含量的增加而升...
朱高明王晓虹宋彬彬陆琼焦欣洋冯培忠
关键词:二硅化钼铌合金燃烧合成法断裂韧性
文献传递
WC颗粒增强钢基复合材料辊环的研究被引量:7
2004年
用离心铸造工艺制备了WCp/钢基复合材料辊环,并对所制备的复合材料进行了分析与性能测试。结果表明:离心铸造工艺制备的复合材料辊环表面复合层与芯部基体结合良好,表面复合层硬度达到63~65HRC,WC颗粒发生了溶解-析出作用,复合层的最大厚度为3.9mm,复合材料的耐磨性较基体材料提高了3倍。
冯培忠强颖怀
关键词:钢基复合材料WC颗粒辊环离心铸造
一种超高温陶瓷硼化物固溶体粉体的制备方法
一种超高温陶瓷硼化物固溶体粉体的制备方法,属于硼化物固溶体粉体的制备方法。首先分别称取合成单相硼化物ZrB<Sub>2</Sub>、TaB<Sub>2</Sub>、HfB<Sub>2</Sub>等所需粉料,再按Zr:Ta...
任宣儒李贺军冯培忠郭立童张平鞠治成
文献传递
多点热电偶测温装置
一种多点热电偶测温装置,包括与电源相连的多个温度变送器,多个温度变送器的输入端连有与被测物体相连的多点测温热电偶丝,多个温度变送器的输出端连有与计算机相连接的数据采集卡。通过电源把220V交流电转换为24V,提供给温度变...
王晓虹冯培忠武杰
文献传递
一种发热部呈长方条状的硅化钼型发热体
本实用新型公开了一种发热部呈长方条状的硅化钼型发热体,它主要由发热部和设在发热部两端的两个端子部构成。其特征在于所述发热部为长方条状二硅化钼在发热部的起始两端,电连接有接线端子部。本实用新型在不增加原材料的情况下,通过改...
冯培忠武杰王晓虹刘伟生牛继南强颖怀
文献传递
一种利用氧化铜粉末制备复杂形状多孔铜的方法
一种利用氧化铜粉末制备复杂形状多孔铜的方法,属于制备复杂形状多孔铜的方法。该方法通过流动成型注入塑料模具中冷冻干燥,在空气气氛中低温脱脂,然后在真空炉中分解烧结;工艺步骤包括:将氧化铜粉末与溶液按不同比例混合均匀,通过流...
冯培忠冉铧深刘章生李功振王晓虹牛继南
文献传递
Y_2O_3对SPS烧结纳米AlN粉末的影响被引量:4
2007年
利用低温燃烧法合成出了平均粒度为100 nm的AIN粉末,将合成的粉末采用放电等离子(SPS)技术进行低温强化烧结,研究Y_2O_3对烧结过程以及烧结试样特性的影响。XRD进行物相分析,SEM观察断口形貌,排水法测烧结试样的密度,激光闪光法测烧结试样的热导率。实验表明:采用低温燃烧法合成出的AlN粉末具有非常好的烧结性能,采用SPS烧结技术,40 MPa压力下,在1600℃保温4 min,就能得到非常致密的AlN陶瓷;Y_2O_3对纳米AlN粉末在SPS低温强化烧结过程仍有促进作用,使试样在更低的温度下烧结致密,并且晶粒更细小,从而热导率也较低;加入Y_2O_3的烧结试样晶界强度增加,断口中有较多的穿晶断裂形式,而不加入Y_2O_3的烧结试样主要以沿晶形式断裂。
杜学丽秦明礼冯培忠曲选辉
关键词:AIN陶瓷氧化钇低温燃烧法放电等离子烧结
BaTiO_(3)基超薄层BME MLCC的可靠性机理
2024年
多层陶瓷电容器(Multilayer ceramic capacitors,MLCC)作为市场占有率最高的无源电子元器件,是基础电子元件产业中需要突破关键技术的重点产品之一,在汽车电子、5G通讯、电网调频、航空航天等领域有广泛的应用。在小型化、薄层化发展趋势下,MLCC的介质层厚度不断降低,单层介质在相同电压下的电场显著增大,尤其是中高压超薄层MLCC。因此,MLCC的可靠性愈发成为一项关键的产品质量指标。本文结合加速老化测试、高温阻抗谱、漏电流测试,系统研究超薄层MLCC的劣化机理,揭示抑制氧空位的迁移与富集是保证超薄层MLCC可靠性的重中之重。为此,应减小介质层内部的氧空位浓度,增大其迁移所需的激活能,提高界面肖特基势垒,从而提升超薄层MLCC的可靠性。本文的研究成果为超薄层MLCC介质材料的设计提供了有力指导。
朱超琼蔡子明冯培忠张伟晨惠可臻曹秀华付振晓王晓慧
关键词:钛酸钡多层陶瓷电容器氧空位
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