俞健
- 作品数：15 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- SHJ太阳电池叠层减反结构及光电性能研究被引量：4
- 2020年
- 创新性提出低温退火下异质结(SHJ)太阳电池的叠层减反射结构。采用等离子体增强化学气相沉积技术在沉积金属电极后的SHJ太阳电池入光面依次沉积SiN_x和SiO_x薄膜,形成SiO_x/SiN_x/IWO三层减反射膜,则电极部分为SiO_x/SiN_x/Ag/IWO的叠层结构,经低温退火银浆穿透表面介电薄膜形成导电通路。结果表明,SiO_x/SiN_x/IWO叠层具有优异的光学透过性,并显著降低电池表面反射损失。与单层IWO薄膜相比,厚度分别为90、30、60 nm的SiO_x/SiN_x/IWO的三层减反射膜使平均反射率下降至5.9%,对应波段外量子效率显著提高,SHJ电池短路电流密度和转换效率分别提高1.22 mA/cm^2和0.96%,具有巨大的应用潜力。
- 周杰俞健马忠权刘正新
- 关键词：光电特性低温退火
- 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
- 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；...
- 刘正新孟凡英张丽平石建华俞健刘金宁刘毓成
- 具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法
- 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面...
- 俞健卞剑涛张丽平刘毓成孟凡英刘正新
- 湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法
- 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上...
- 俞健邱羽孟凡英刘正新
- 文献传递
- 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺
- 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h...
- 端伟元邱羽俞健卞剑涛刘正新
- 文献传递
- 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法
- 本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微...
- 刘正新孟凡英张丽平石建华俞健刘金宁刘毓成
- 文献传递
- 高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术
- 本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结...
- 卞剑涛端伟元俞健刘正新
- 文献传递
- 硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究被引量：2
- 2019年
- 异质结太阳电池沉积透明导电薄膜(TCO)作为导电层、减反射层,电极直接与TCO接触,故在TCO上电镀金属电极是非选择性的,需沉积种子层和图形化的掩膜,以实现选择性电镀及良好的附着。研究表明,金属与TCO之间具有优异的欧姆接触特性,比接触电阻低。SEM分析表明,电镀电极结构致密,与透明导电薄膜紧密附着,接触电阻小;丝印电极银颗粒间粘结不紧密,具有较多的空隙,线电阻提高,串联电阻增加。铜金属化可以实现更低的线电阻率、更好的电极高宽比,可以显著提高载流子收集几率,通过选择合适的种子层及后退火,铜电镀异质结电池光电性能显著改善,转换效率达到了22%,具有巨大的发展前景。
- 俞健卞剑涛卞剑涛刘毓成
- 关键词：太阳电池电性能
- 湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法
- 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上...
- 俞健邱羽孟凡英刘正新
- 文献传递
- 具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法
- 本发明涉及一种具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线，并且其中的金属栅线至少包括：位于所述的透明导电层之上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上面的金属电极，所述的金属电极依...
- 邱羽俞健孟凡英刘正新
- 文献传递
