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何珂

作品数:47 被引量:40H指数:4
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 31篇绝缘体
  • 27篇拓扑绝缘体
  • 15篇绝缘
  • 9篇量子
  • 9篇分子束
  • 9篇分子束外延
  • 8篇电子型
  • 8篇载流子
  • 8篇空穴
  • 8篇基底表面
  • 7篇拓扑
  • 5篇扫描隧道显微...
  • 5篇超导
  • 5篇磁性
  • 4篇量子霍尔效应
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇基底
  • 4篇间隔层
  • 4篇反常霍尔效应

机构

  • 35篇清华大学
  • 30篇中国科学院
  • 5篇北京量子信息...
  • 2篇北京科技大学
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇南方科技大学

作者

  • 47篇何珂
  • 30篇薛其坤
  • 11篇马旭村
  • 5篇王立莉
  • 3篇张丽娟
  • 3篇贾金锋
  • 3篇李康
  • 2篇李明华
  • 2篇赖武彦
  • 2篇朱逢吾
  • 2篇张浩
  • 2篇于广华
  • 2篇杨帅
  • 1篇张童
  • 1篇程鹏
  • 1篇丁浩
  • 1篇谷林
  • 1篇陈曦
  • 1篇张庆华
  • 1篇潘明虎

传媒

  • 5篇物理学报
  • 5篇物理
  • 2篇科学通报
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇2013年全...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2015
  • 2篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
47 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁性掺杂拓扑绝缘体薄膜的ARPES研究
常翠祖何珂冯硝李康马旭村薛其坤
关键词:拓扑绝缘体能隙化学势
选区外延生长的PbTe-超导杂化纳米线:一个可能实现拓扑量子计算的新体系
2023年
半导体-超导体杂化纳米线是用于研究马约拉纳零能模和拓扑量子计算的主要平台之一,而基于Ⅲ-Ⅴ族半导体InAs和InSb的纳米线则是当前此方向研究的主流材料体系.尽管经过多年制备技术的改进和优化,样品中过多的缺陷和杂质仍是阻碍此方向进一步发展的核心问题.近年来,一个新的马约拉纳纳米线候选体系——Ⅳ-Ⅵ族半导体PbTe-超导杂化纳米线吸引了很大关注并获得了快速的研究进展.PbTe的介电常数巨大,且具有晶格匹配的衬底,这些优势使其有潜力突破纳米线样品质量提升的瓶颈,成为马约拉纳零能模的研究和拓扑量子计算实现的理想平台.本文将简单介绍最近几年在PbTe纳米线和PbTe-超导杂化纳米线器件的选区分子束外延生长、输运性质研究方面取得的重要进展,并对这种新的马约拉纳纳米线候选体系的优势、问题及基于其实现拓扑量子计算的前景进行讨论.
杨帅张浩何珂
关键词:半导体纳米线
单畴的单原子In纳米线阵列的制备与研究被引量:6
2004年
利用Si(0 0 1)向 [110 ]方向偏 4°角的斜切表面作为衬底 ,成功地制备了分布均匀的单畴的单原子In链阵列 .扫描隧道显微镜分析表明 ,沉积的In原子优先吸附在台面上沿着台阶内边缘的位置 ,并在两个Si的二聚体链之间形成稳定的In二聚体 .In二聚体组成直的单原子链 ,其生长机理与Car提出的“表面聚合反应”相一致 .另外 。
窦瑞芬贾金锋徐茂杰潘明虎何珂张丽娟薛其坤
关键词:扫描隧道显微镜二聚体
具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构及其制备方法
本发明公开了一种具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构,包括:绝缘基底、拓扑绝缘体量子阱薄膜和绝缘保护层,其特征在于,所述拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述绝缘保护层依次叠加在所述绝缘基底表面形成一异质结结构,所述绝缘保护层选自纤锌矿结...
何珂姜高源薛其坤
文献传递
超导-半导体纳米线异质结及其衬底、制备方法和器件
本申请涉及量子计算技术领域,特别是涉及一种超导‑半导体纳米线异质结及其衬底、制备方法和器件。可以满足超导‑半导体纳米线异质结对衬底的高平整性、绝缘和耐高温需求。一种超导‑半导体纳米线异质结的衬底,包括:衬底本体,以及设置...
何珂张浩宋文玉于泽昊王禹灏高益淳杨帅
磁性掺杂拓扑绝缘体的电子结构与磁性
绝缘体是最近几年发现的一种新概念的量子材料[1,2].人们在拓扑绝缘体中预言了很多新奇的量子现象,其中很大一部分,例如量子反常霍尔效应、拓扑磁电效应、镜像磁单极效应等都是其独特的电子结构和磁有序相互作用的结果.在三维拓扑...
何珂马旭村薛其坤常翠祖汤沛哲张金松冯硝李康张祚成王亚愚段文晖
关键词:拓扑绝缘体分子束外延
磁性掺杂拓扑绝缘体电子结构和性质的调控
<正>拓扑绝缘体是近年来新发现的一种量子物质形态。它的体能带像普通的绝缘体一样具有能隙,但在表面却具有无能隙、自旋劈裂、且具有狄拉克型线性色散关系的表面态。这种无能隙表面态受到材料时间反演对称性的保护[1]。在拓扑绝缘体...
何珂常翠祖冯硝李康王亚愚陈曦马旭村薛其坤
关键词:拓扑绝缘体化学势角分辨光电子能谱
文献传递
拓扑量子材料与量子反常霍尔效应被引量:2
2015年
简要综述自从2005年前后发展起来的一类新的材料体系-"拓扑"量子材料,它包含拓扑绝缘体、拓扑晶体绝缘体、拓扑超导体和拓扑半金属等。这类材料中较强的自旋轨道耦合作用导致了包括量子反常霍尔效应在内的丰富多彩的量子现象,有可能对未来低能耗电子学、拓扑量子计算和清洁能源等技术的发展具有重大的推动作用。
何珂薛其坤
关键词:拓扑绝缘体量子霍尔效应
具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合被引量:6
2002年
用磁控溅射方法制备了NiFeⅠ FeMn Bi NiFeⅡ 薄膜 ,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ 及NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化 .发现随分隔层Bi厚度的增加 ,FeMn与NiFeⅠ 间的交换偏置场Hex1 几乎不变 ,FeMn与NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex2 急剧减小 .当Bi的厚度超过 0 6nm时 ,FeMn与NiFeⅡ 之间的交换偏置场从 6 92 5下降为 0 876kA·m- 1 .x射线光电子能谱 (XPS)分析表明 ,沉积在FeMn NiFeⅡ 界面的Bi并没有全部停留在界面处 ,至少有部分偏聚到NiFeⅡ
李明华于广华何珂朱逢吾赖武彦
关键词:BI交换偏置织构XPS铁磁薄膜
清华大学物理系复系40年以来凝聚态物理学科的发展
2022年
清华大学物理系复系后的凝聚态物理学科,其前身可以追溯到1973年开办的固体物理研究班。当时在一些知名科学家的建议和周恩来总理的指示下,清华大学决定开办4个与基础科学相关的研究班,分别是固体物理、激光、物质结构和催化。固体物理研究班于1973年初正式成立,教师是校内各系调入的熊家炯、张宏涛、赵南明、张继盛、蔡纬及新教师王喜坤。
何珂熊家炯
关键词:凝聚态物理学固体物理物理系
共5页<12345>
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