付晓君
- 作品数：79 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院微电子研究所所长基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法
- 本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法，该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀；对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，挖栅槽，蒸发Ti/Pt/...
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 文献传递
- T形栅In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As MHEMTs功率器件(英文)
- 2008年
- 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAl As/InGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：MHEMTINALAS/INGAAST型栅功率器件
- JFET输入的高性能运算放大器
- 本发明提供一种JFET输入的高性能运算放大器，包括输入级电路、增益电路、输出级电路和偏置电路，偏置电路用于向输入级电路和输出级电路提供对应的偏置电压和偏置电流，输入级电路用于输入信号，并将信号输出给增益电路，增益电路用于...
- 张明敏杨阳王成鹤付晓君何峥嵘
- 文献传递
- 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法
- 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和十字阳版光刻，显影形成按照一定规律排列的十字；蒸发Ti/Au形成金属十字Marker以及十字两侧的队列标记；采用超声乙...
- 黎明张海英付晓君徐静波
- 文献传递
- 一种半导体器件温湿度复合应力加速模型优选方法
- 本发明公开了半导体器件应力加速模型优选方法，包括：筛选合格的样品并分组；对其中一组进行正常应力退化试验，对另外五组进行加速退化试验；周期性对样品可能的敏感参数进行检测并记录；确定试验样品敏感参数及其退化轨迹模型；外推得到...
- 黄炜罗俊刘凡刘华辉付晓君刘伦才
- 文献传递
- 200nm栅长In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As MHEMTs器件(英文)
- 2008年
- 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：MHEMT电子束光刻T型栅
- 一种双极性输入信号检测电路
- 本发明提出一种双极性输入信号检测电路，包括：输入信号；正压检测模块，用于检测所述输入信号的正压部分；负压检测模块，用于检测所述输入信号的负压部分；延迟模块，用于将所述正压检测模块的检测结果或所述负压检测模块的检测结果延迟...
- 郭亮曾涛付晓君陈雪廖望侯江谢向阳苏豪刘凡
- 文献传递
- 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：在P+－Si衬底的正面生长栅氧介质SiO<Sub>2</Sub>；在P+－Si衬底的背面形成背栅电极；在P+－Si衬底的正面形成定位标记；在P+－...
- 徐静波张海英黎明付晓君
- 文献传递
- 一种锂离子电池检测芯片及检测装置
- 本申请提供锂离子电池检测芯片及检测装置，检测芯片包括：激励信号产生模块在目标扫频区间内进行扫频处理，得到每个频率对应的电流激励信号，电流激励信号用于激励锂离子电池，以产生响应电压、响应电流及直流电压，通过EIS数据检测模...
- 张子启刘丙生李俊彦汪紫薇付晓君
- 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法
- 本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法，该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀；对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，挖栅槽，蒸发Ti/Pt/...
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 文献传递
