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于伟泽

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇MOS晶体管
  • 3篇导体
  • 3篇栅极
  • 3篇沟道
  • 3篇沟道效应
  • 3篇半导体结构
  • 3篇侧墙
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇掩膜
  • 2篇栅极结构
  • 2篇驱动电流
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇介质层

机构

  • 9篇中国科学院微...

作者

  • 9篇于伟泽
  • 9篇尹海洲
  • 1篇许静
  • 1篇骆志炯
  • 1篇梁擎擎
  • 1篇朱慧珑
  • 1篇蒋葳
  • 1篇张亚楼

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
MOS晶体管及其制作方法
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅...
于伟泽尹海洲
文献传递
使用非对称内表面氧化层的MOS管性能优化被引量：1
2014年
提出了一种用来提高短沟道MOS管性能的非对称内表面氧化层结构。该结构是在MOS管的源端附近生长一层厚的内表面氧化层，以抑制载流子迁移率的降低，同时，在MOS管的漏端附近生长一层薄的内表面氧化层，以抑制器件的短沟道效应。使用TCAD软件进行仿真和分析，结果显示，与对称内表面氧化层结构相比，非对称内表面氧化层结构具有更好的导通一关断特性。对器件进行优化，当源端较厚的内表面氧化层占总氧化层的比例为15％左右时，器件的性能得到最大幅度的提高。在相同的关断电流下，与对称内表面氧化层器件相比，非对称内表面氧化层器件的导通电流提高5%～15%。
于伟泽尹海洲骆志炯朱慧珑梁擎擎许静
关键词：半导体器件短沟道效应
一种半导体结构及其制造方法
本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲栅，位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区；形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层；去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔；在空腔内形成与侧墙...
尹海洲于伟泽
文献传递
一种半导体结构及其制造方法
本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲栅，位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区；形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层；去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔；在空腔内形成与侧墙...
尹海洲于伟泽
文献传递
一种半导体结构的制造方法
本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底(100)；b)在该衬底(100)之上形成伪栅堆叠，该伪栅堆叠包括栅极介质层(203)以及所述栅极介质层(203)上的伪栅(201)，所述伪栅(201)的材料...
尹海洲于伟泽
文献传递
MOS晶体管及其制作方法
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，...
于伟泽尹海洲
MOS晶体管及其制作方法
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅...
于伟泽尹海洲
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成非晶态的伪栅极；使用TMAH湿法移除所述伪栅极，以形成栅极开口；在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。通过将传统多晶硅的伪栅极替换为非晶态的伪栅极，使得TMA...
蒋葳于伟泽张亚楼尹海洲
文献传递
MOS晶体管及其制作方法
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，...
于伟泽尹海洲
文献传递
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