万关良
- 作品数：26 被引量：48H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：8
- 2007年
- 通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。
- 黄军辉周旗钢万关良肖清华库黎明
- 关键词：非均匀性DSP
- 300mm双面磨削硅片表面纹路模拟被引量：2
- 2007年
- 分析了硅片双面磨削的运动轨迹,并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹。还对砂轮运动轨迹进行了模拟。得出以下结论:砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关,而与两者的分别转动角速度值没有关系。硅片磨削的磨纹密度沿着硅片径向逐渐减小,硅片中心处磨纹最密集,磨纹密度最大,表面粗糙度最小,越靠近硅片的中心硅片的磨纹密度越大,表面粗糙度越小,表面质量越好;反之,越靠近硅片的边缘磨纹密度越小,表面粗糙度越大,表面质量越差。砂轮和硅片旋转方向相同时单颗磨粒的轨迹带有紫荆花形状,说明其磨削是不均匀的,磨削效果不好;而砂轮和硅片旋转方向相反时单颗磨粒的轨迹则不具有这种形状,磨削很均匀,磨削效果好。硅片磨纹密度是由砂轮和硅片的速比决定的,速比ωwωs的不可约分数m/n中n越大,硅片磨纹密度越密,表面粗糙度越小,磨削表面质量越好。
- 陈海滨周旗钢万关良肖清华
- 关键词：表面粗糙度
- N<lll>高阻硅单晶径向电阻率均匀性的控制
- 拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。
- 万关良方锋郝玉清吴志强张果虎
- 关键词：硅单晶电阻率均匀性小平面
- Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
- 1998年
- 为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。
- 郝玉清张果虎常青方锋吴志强万关良秦福
- 关键词：硅单晶
- 300mm双面磨削硅片损伤层厚度检测被引量：3
- 2006年
- 测量300mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数。本文应用恒定腐蚀法和双晶衍射法测量了300mm硅片双面磨削工艺后的损伤层厚度,对恒定腐蚀法进行了较深入的研究,并结合恒定腐蚀法的结果对硅片进行双晶衍射。得出以下结论:杨氏腐蚀液因为对缺陷具有良好的择优性能,可以用以损伤层厚度检测。而硝酸腐蚀液因为对缺陷不具有良好的择优性能,因而不能用以损伤层厚度检测;恒定腐蚀法可以粗略测定磨削硅片损伤层厚度,而双晶衍射法可以精确测定磨削硅片损伤层厚度;根据恒定腐蚀法的测试结果来进行双晶衍射,可以减少测试样品的数量,节省试验经费;300mm直拉P型<100>硅片经2000#砂轮双面磨削后的损伤层厚度为12.5μm。
- 陈海滨周旗钢万关良肖清华
- 关键词：双晶衍射
- 一种新型的修布砂轮装置
- 一种新型的修布砂轮装置，它包括：抛光陶瓷板，安装在陶瓷板上的多个砂轮，所述的砂轮的位置按硅片贴在陶瓷板上的位置布置。本实用新型的优点：砂轮在抛光盘上的运行轨迹完全模拟硅片的运行轨迹，砂轮在抛光布上的运行轨迹与硅片的运行轨...
- 万关良王继
- 文献传递
- 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和分析
- 建立300mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程，通过实验证明了运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系，计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300...
- 黄军辉肖清华库黎明周旗钢万关良
- 关键词：硅半导体抛光技术
- 硅片高温工艺与塑性形变被引量：1
- 1998年
- 为减小硅片高温工艺中的形变，通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验，研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响，实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的，快速加热对形变影响不大。急冷温度越高，硅片中心与边缘温差越大，因产生位错和滑移形成的塑性形变就越大，１２００℃急冷的弯曲度变化是７７０℃急冷的４倍，水平装片比竖直装片形变大，紧贴式装片比间隔式容易弯曲。采用降低急冷温度，由１２００℃缓慢降至７７０℃左右再急冷，配合竖直间隔方式装片和容器加盖等方法可减少高温工艺中硅片的形变。
- 谢书银万关良李立本张锦心
- 关键词：硅片塑性形变
- 硅片适配器
- 本实用新型提供一种硅片适配器，它为一插板，插板的两侧边带凸条，凸条沿长度方向延伸，插板上与凸条平行位置设一长凹槽。本适配器结构简单、成本低、操作简便，硅片适配器由聚四氟乙烯加工而成，可以实现8英寸清洗设备对5英寸、6英寸...
- 万关良宁永铎王喆徐继平
- 文献传递
- 硅片塑性形变与位错被引量：3
- 1998年
- 通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。
- 谢书银袁鹏万关良李励本张锦心
- 关键词：硅片塑性形变位错
