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高永浩

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇光子
  • 4篇晶体
  • 4篇激光
  • 4篇光子晶体
  • 3篇复用
  • 3篇波分
  • 3篇波分复用
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓基发光...
  • 2篇电控
  • 2篇调谐
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜板
  • 2篇氧化锌
  • 2篇探测器
  • 2篇透明电极
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格常数

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇许兴胜
  • 9篇高永浩
  • 4篇黎星云
  • 3篇李成果
  • 2篇王华勇

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器结构和方法
本发明公开了一种基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器结构和方法，所述方法包括：在硅片上制作硅波导；在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键...
许兴胜黄昕楠高永浩黎星云
文献传递
一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法
本发明公开了一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统，其是可以在定位样品中的单量字点位置后，直接切换至直写光刻功能，达到很好衔接的光刻系统。为了实现在定位量子点后直接进行微纳结构的制作，需要这样一套结合单量子点定位功能...
许兴胜高永浩黄昕楠黎星云
文献传递
渐变半径光子晶体发光二极管制备方法
一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括：取一氮化镓基发光二极管外延片；在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO<Sub>2</Sub>层，在SiO<Sub>2</Sub>层上制作掩膜板...
许兴胜王华勇高永浩
文献传递
电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法
一种电控可调谐光子晶体波分复用器，包括：一薄金属透明电极层；一聚合物层，位于薄金属透明电极层的下方；一顶层硅层，该顶层硅层的上面开有光子晶体孔阵列，该顶层硅层位于聚合物层的下方；一二氧化硅层，为环状结构，位于顶层硅层下面...
许兴胜高永浩李成果
渐变半径光子晶体发光二极管制备方法
一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括：取一氮化镓基发光二极管外延片；在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO<Sub>2</Sub>层，在SiO<Sub>2</Sub>层上制作掩膜板...
许兴胜王华勇高永浩
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利用光子晶体平板Fano共振效应实现密集波分复用的方法
一种利用光子晶体平板Fano共振效应实现密集波分复用的方法，其中光波分复用光路系统包括：一第一调谐激光器、一分束镜、一第一耦合光纤、一准直透镜、一样品台和一光谱分析仪，所述第一调谐激光器、分束镜、第一耦合光纤、准直透镜、...
许兴胜李成果高永浩
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电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法
一种电控可调谐光子晶体波分复用器，包括：一薄金属透明电极层；一聚合物层，位于薄金属透明电极层的下方；一顶层硅层，该顶层硅层的上面开有光子晶体孔阵列，该顶层硅层位于聚合物层的下方；一二氧化硅层，为环状结构，位于顶层硅层下面...
许兴胜高永浩李成果
文献传递
一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法
本发明公开了一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统，其是可以在定位样品中的单量字点位置后，直接切换至直写光刻功能，达到很好衔接的光刻系统。为了实现在定位量子点后直接进行微纳结构的制作，需要这样一套结合单量子点定位功能...
许兴胜高永浩黄昕楠黎星云
基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法
本发明公开了一种基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法，所述方法包括：在硅片上制作硅波导；在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键...
许兴胜黄昕楠高永浩黎星云
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