高岭
- 作品数：8 被引量：6H指数：1
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究被引量：1
- 2013年
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素;采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形成致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生;采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞;当氮化铝直接覆铜工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜基板界面空洞比例达到2%。
- 高岭赵东亮
- 关键词：氮化铝陶瓷
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域.本文从机理上分析了氮化...
- 高岭赵东亮
- 关键词：电力电子器件氮化铝陶瓷控制技术
- 文献传递
- 系统级封装用陶瓷基板材料研究进展和发展趋势
- 系统级封装技术能够将不同类型的元件通过不同的技术混载于同一封装之内，是实现集成微系统封装的重要技术，在航空航天、生命科学等领域中有广阔的应用前景。陶瓷基板材料是系统级封装技术的基础材料之一。本文介绍了系统级封装技术的概念...
- 高岭赵东亮
- 关键词：系统级封装氮化铝低温共烧陶瓷
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化...
- 高岭赵东亮
- 关键词：氮化铝陶瓷
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化...
- 高岭赵东亮
- 关键词：氮化铝陶瓷
- CMOS门阵列电路用封装外壳的研制
- 2000年
- 介绍了一种用于封装万门至十万门级 CMOS门阵列电路的 PCA1 32多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了 CAD设计布线 ,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数 ,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计 ,使外壳抗机械冲击、温度冲击能力大大提高 ,满足了高可靠应用要求。
- 郑宏宇高尚通王文琴高岭赵平付花亮郑升灵
- 关键词：封装CMOS电路门阵列
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化...
- 高岭赵东亮
- 关键词：氮化铝陶瓷
- 文献传递
- 系统级封装用陶瓷基板材料研究进展和发展趋势被引量：5
- 2016年
- 系统级封装技术能够将不同类型的元件通过不同的技术混载于同一封装之内,是实现集成微系统封装的重要技术,在航空航天、生命科学等领域中有广阔的应用前景。陶瓷基板材料是系统级封装技术的基础材料之一。本文介绍了系统级封装技术的概念及其特点,分析几种系统级封装用陶瓷基板材料的优缺点,同时指出了陶瓷基板材料的未来发展趋势。
- 高岭赵东亮
- 关键词：系统级封装氮化铝低温共烧陶瓷
