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韩烨

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇超导
  • 3篇超导薄膜
  • 2篇掩膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇铁基
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇晶片
  • 2篇机电系统
  • 2篇各向同性
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶片
  • 2篇干法
  • 2篇靶材
  • 2篇电系统
  • 1篇导电
  • 1篇导体
  • 1篇电输运
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 6篇韩烨
  • 6篇曹立新
  • 6篇李位勇
  • 6篇许波
  • 5篇赵柏儒
  • 2篇张帅
  • 1篇陈宁
  • 1篇刘丽华
  • 1篇张鹰子
  • 1篇朱北沂
  • 1篇郑亚男
  • 1篇杨传森
  • 1篇崔丽华
  • 1篇范慧
  • 1篇黄文斌

传媒

  • 1篇低温与超导
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜
本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSe<Sub>x</Sub>或FeSe<Sub>(1-y)</S...
曹立新李位勇韩烨张帅许波赵柏儒
文献传递
用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法
本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬...
曹立新李位勇韩烨许波赵柏儒
FeSe0.4Te0．6超导薄膜的输运性质实验研究
2013年
通过脉冲激光沉积技术制备了超导转变温度约为12 K的FeSe0.4Te0.6超导薄膜,测量了该薄膜晶体结构和在磁场(0-12 T)下的电输运性质。分别用传统的Arrhenius Plots和一种更精确的关系对薄膜的TAFF区的热激活能进行了分析,得到激活能对磁场和温度的指数关系;对两种方法分析结果分析比较,发现第二种方法的分析结果更符合FeSe0.4Te0.6超导薄膜的测量结果。估算了FeSe0.4Te0.6超导薄膜的玻璃态转变温度、上临界场Hc2(0)和相干长度。
杨传森曹立新张鹰子陈宁刘丽华李位勇韩烨许波范慧黄文斌郑亚男崔丽华胡旻卉朱北沂
关键词：超导电性电输运
外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜
本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSe<Sub>x</Sub>或FeSe<Sub>(1-y)</S...
曹立新李位勇韩烨张帅许波赵柏儒
铁基超导体薄膜制备和物理性质研究
曹立新李位勇韩烨许波赵柏儒
用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法
本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬...
曹立新李位勇韩烨许波赵柏儒
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