陈明
- 作品数:18 被引量:6H指数:2
- 供职机构:南京邮电大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 激光诱导CsPbBr3量子点在氟磷酸盐玻璃中可控生长的研究
- 铯铅卤化物钙钛矿量子点(CsPbX(X=Br、I、Cl))存在着稳定性差和易分解的问题,这严重制约了其在实际器件制备中的应用。虽然通过一些手段能明显提高其化学稳定性,但强光辐照下稳定性差等问题依旧难以解决。钙钛矿量子点镶...
- 陈明
- 关键词:脉冲激光3D打印
- 一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件
- 本发明揭示了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件,ESD防护器件包括硅衬底,在硅衬底上设有埋氧层,埋氧层上设有漂移区,漂移区的左上方为漏极区,右上方为源极区;漂移区内中间引入浮空N+电荷区,在N‑buffer区...
- 成建兵田莉沈醴王玲陈明
- 文献传递
- 一种用激光诱导纳米晶在玻璃基质中原位沉淀的方法
- 本发明属于光学玻璃技术领域,具体涉及一种用激光诱导纳米晶在玻璃基质中原位沉淀的方法,先制备得玻璃前驱体粉末;将玻璃前驱体粉末放置在氧化铝坩埚中,置于高温熔炉中熔制得到玻璃液;将玻璃液倾倒在铜板上淬冷,得到玻璃前体;对玻璃...
- 付丽丽陈明郑锐林张志强徐慧敏韦玮
- 一种基于深度学习的客服问答系统及实现方法
- 本发明公开了一种基于深度学习的客服问答系统及实现方法,包括用于采集客服对话数据,构建基于Python爬虫的数据获取模块;用于进行中间语义分析的数据处理模块;用于通过问答模型生成回答并返回给客户的系统实现模块,本发明把深度...
- 邵曦陈明
- 文献传递
- 无线传感器网络协作通信技术的能量效率研究
- 在无线传感器网络中,由于传感器节点一般采用电池供电,能量有限,且应用环境条件复杂,使得节点难以补充能量。因此,如何高效地使用能量,最大化网络生命周期成为传感器网络研究者面临的首要挑战。 无线传感器节点主要的能量消耗用于...
- 陈明
- 关键词:无线传感器网络能量效率MIMO系统
- 文献传递
- 高温热重生光纤布拉格光栅制备及其性能研究被引量:2
- 2020年
- 通过高温(850~950℃)退火方法使光纤布拉格光栅在高温擦除后重新生长形成热重生光纤光栅,其能够在大于1 000℃以上的高温环境中稳定工作,但经高温退火处理后的热重生光纤光栅机械强度较一般光纤布拉格光栅显著下降.本文通过采用单模石英光纤进行实验,对光纤光栅的轴向应力和光纤光栅中石英分子组分的变化进行研究分析.结果表明,经过高温热退火后的热重生光纤光栅与未退火的光纤布拉格光栅相比,纤芯处压应力减少了80 MPa,远离纤芯的包层处拉伸应力由22 MPa逐渐减小;同时,随着热退火气氛中氧含量的增加,退火后生成的热重生光纤光栅SiO2逐渐增加,占比从52.99%上升至69.92%.虽然SiO2具有较高的密度,其机械强度大于Si2O3,但热退火后的热重生光纤光栅脆性仍增大,故推论:组分变化对热重生光纤光栅脆性增大无明显影响,脆性增大主要原因为高温导致的应力松弛.本文研究为提高热重生光纤光栅的机械性能,解决其脆性问题提供了可靠的理论与实验依据.
- 刘日照陈明郑加金郑加金朱永刚陈焕权韦玮
- 关键词:光纤传感光纤布拉格光栅退火应力
- 一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS被引量:3
- 2020年
- 为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。
- 王玲成建兵陈明张才荣邓志豪
- 关键词:VDMOSEMI
- 一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法
- 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法,分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极,JFET上方依次新建立N‑pillar区、P‑body区和N+源区,使得器件的栅电极被分成多区域,新加入的区...
- 成建兵陈明李浩铮
- 文献传递
- CsPbBr<Sub>3</Sub>量子点镶嵌氟磷酸盐玻璃及制备方法和应用
- 本发明公开了CsPbBr<Sub>3</Sub>量子点镶嵌氟磷酸盐玻璃及制备方法和应用,其由氟磷酸盐玻璃基质和有效发光中心两部分组成,有效发光中心为CsPbBr<Sub>3</Sub>量子点或CsPbBr<Sub>3</...
- 付丽丽封其东郑锐林秦天杰陈明韦玮
- 一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法
- 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法,分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极,JFET上方依次新建立N‑pillar区、P‑body区和N+源区,使得器件的栅电极被分成多区域,新加入的区...
- 成建兵陈明李浩铮