您的位置: 专家智库 > >

陈昌盛

作品数:11 被引量:1H指数:1
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇纳米
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 6篇碳纳米管
  • 6篇纳米管
  • 4篇电极
  • 4篇分子
  • 4篇复合结构
  • 3篇喷墨
  • 3篇气敏
  • 3篇钼酸
  • 3篇磷钼酸
  • 3篇感器
  • 3篇衬底
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇低维纳米
  • 2篇低维纳米材料
  • 2篇电脉冲
  • 2篇修饰

机构

  • 11篇华中科技大学

作者

  • 11篇陈昌盛
  • 9篇王耘波
  • 9篇高俊雄
  • 9篇周文利
  • 9篇朱宇
  • 4篇吴硕
  • 3篇喻研

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2013
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种调控纳米分子神经网络电脉冲发放行为的方法
本发明属于人工智能技术领域,涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐‑半导...
周文利吴硕陈昌盛朱宇程润虹王耘波高俊雄
文献传递
基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头
本实用新型公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头,采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺,在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道;采用阳极键合工艺,以石墨烯碎片作为中间层,将玻璃...
周文利朱宇陈昌盛向耘宏蒋履辉喻研王耘波高俊雄
文献传递
基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器
本发明属于传感器技术领域,更具体地,涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括:衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管;...
周文利朱宇陈昌盛吴硕程润虹王耘波高俊雄
文献传递
一种调控纳米分子神经网络电脉冲发放行为的方法
本发明属于人工智能技术领域,涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐‑半导...
周文利吴硕陈昌盛朱宇程润虹王耘波高俊雄
文献传递
一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法
本发明公开了一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法,包括以下步骤:在衬底上设计并制备预图形化的金属薄膜电极;在图形化的金属薄膜电极之间装配碳纳米管;使与金属薄膜电极接触的碳纳米管两端被金属原子刻蚀,形成缺陷;使...
周文利朱宇陈昌盛王耘波高俊雄
文献传递
基于石墨烯-碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法,采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺,在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道;采用阳极键合工艺,以石墨烯碎片作为中间层...
周文利朱宇陈昌盛向耘宏蒋履辉喻研王耘波高俊雄
文献传递
基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器
本发明属于传感器技术领域,更具体地,涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括:衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管;...
周文利朱宇陈昌盛吴硕程润虹王耘波高俊雄
文献传递
一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法
本发明公开了一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法,包括以下步骤:在衬底上设计并制备预图形化的金属薄膜电极;在图形化的金属薄膜电极之间装配碳纳米管;使与金属薄膜电极接触的碳纳米管两端被金属原子刻蚀,形成缺陷;使...
周文利朱宇陈昌盛王耘波高俊雄
图形化石墨烯--碳纳米管复合结构的制备及其气敏性能研究
碳纳米管和石墨烯因其独特的结构与优异的性能一直备受关注,以碳纳米管和石墨烯为工作单元的新型器件也层出不穷,如场效应管、太阳能电池、气敏传感器等。近年来,为了综合二者的优异特性,人们对两者所构成的复合材料的研究也不断深入。...
陈昌盛
关键词:磷钼酸
基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法,采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺,在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道;采用阳极键合工艺,以石墨烯碎片作为中间层...
周文利朱宇陈昌盛向耘宏蒋履辉喻研王耘波高俊雄
文献传递
共2页<12>
聚类工具0