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钟立志

作品数:8 被引量:28H指数:3
供职机构:北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金国防基础科研计划更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇纳米硅
  • 4篇电池
  • 4篇纳米硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇太阳电池
  • 3篇光电
  • 3篇光电性
  • 3篇光电性能
  • 2篇PECVD
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计
  • 1篇折射率
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...

机构

  • 8篇北京航空航天...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 8篇钟立志
  • 8篇吴小文
  • 8篇张维佳
  • 4篇崔敏
  • 3篇王天民
  • 3篇何宇亮
  • 2篇李国华
  • 1篇黄浩
  • 1篇丁琨

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料工程
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
纳米硅薄膜及其太阳电池研究进展
纳米硅薄膜具有新颖的结构特征和一系列独特的物理性质,可望应用于新型光电子器件、量子功能器件.集成电路等领域.本文综述了纳米硅薄膜的研究现状及其优良的光电性能和纳米硅薄膜太阳电池的研究进展,指出在生产制备与性能方面纳米硅薄...
钟立志张维佳吴小文何宇亮
关键词:纳米硅薄膜太阳电池光电性能
文献传递
纳米ITO粉末制备工艺优化设计被引量:11
2005年
研究采用均相共沉淀法制备纳米ITO(IndiumTinOxide)粉末的制备工艺参数,从碱式溶度积平衡和酸式溶度积平衡,根据热力学平衡理论并引入化学反应热容参数分别计算了ITO前驱物In(OH)3和Sn(OH)4开始沉淀和沉淀完全的pH值以及其开始溶解和溶解完全的pH值,给出了这些pH值随沉淀温度的变化规律,由此对工艺参数进行了优化设计并提供了一种有效的材料掺杂新工艺。采用高分辨率透射电镜,扫描电镜,X射线衍射对ITO纳米粉末进行了测量。结果表明,ITO粉末的平均晶粒大小为28nm,而且沿(400)面生长。
张维佳王天民吴小文钟立志崔敏
关键词:纳米粉末ITO
ITO导电膜红外发射率理论研究被引量:5
2005年
根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indiumtinoxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合.并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能.讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.
张维佳王天民钟立志吴小文崔敏
关键词:红外发射率ITO薄膜方块电阻
纳米硅薄膜光学性质的测定与研究被引量:8
2005年
通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙。计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好。在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势。
钟立志张维佳崔敏吴小文李国华丁琨
关键词:纳米硅薄膜折射率
高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池被引量:2
2006年
通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。
崔敏张维佳钟立志吴小文王天民李国华
关键词:无机非金属材料纳米硅电导率PECVD太阳能电池
纳米硅薄膜及其太阳电池研究进展
纳米硅薄膜具有新颖的结构特征和一系列独特的物理性质,可望应用于新型光电子器件、量子功能器件、集成电路等领域.本文综述了纳米硅薄膜的研究现状及其优良的光电性能和纳米硅薄膜太阳电池的研究进展,指出在生产制备与性能方面纳米硅薄...
钟立志张维佳吴小文何宇亮
关键词:纳米硅薄膜太阳电池光电性能退火温度
文献传递
纳米硅薄膜及其太阳电池研究进展
2004年
纳米硅薄膜具有新颖的结构特征和一系列独特的物理性质,可望应用于新型光电子器件、量子功能器件、集成电路等领域.本文综述了纳米硅薄膜的研究现状及其优良的光电性能和纳米硅薄膜太阳电池的研究进展,指出在生产制备与性能方面纳米硅薄膜太阳电池所具有的优势,具有良好的发展前景.
钟立志张维佳吴小文何宇亮
关键词:纳米硅薄膜太阳电池光电性能
Ge_(1-x)C_x薄膜的制备及红外特性的研究被引量:2
2005年
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2~4范围内变化;薄膜的沉积速率随射频功率增大而增大,但当功率达到60 W以后其变化不明显;沉积速率随温度的增加而减少;该薄膜具有透长波红外的性能.
吴小文张维佳钟立志黄浩
关键词:PECVD红外特性沉积速率
共1页<1>
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