郭新峰
- 作品数：29 被引量：148H指数：4
- 供职机构：南阳理工学院更多>>
- 发文基金：河南省基础与前沿技术研究计划项目河南省教师教育课程改革研究项目河南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 水热-蒸汽刻蚀法制备多孔硅的方法
- 本发明涉及一种水热-蒸汽刻蚀法制备多孔硅的方法，步骤包括：处理硅衬底、水热反应釜加热反应液、单晶硅片架在反应液上方、反应釜放入在130℃~190℃温度烤箱中反应，使反应液产生酸蒸汽，进而对反应液上方的硅片产生腐蚀，从而制...
- 石明吉张戈郭新峰丁淑娟张又华
- 文献传递
- 退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响被引量：4
- 2010年
- 通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。
- 靳瑞敏王玉仓陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜拉曼光谱扫描电镜
- 抑制管路中流体湍急的装置
- 本发明的目的在于提供一种抑制管路中流体湍急的装置，本发明包括相互连通的管路输入端和管路输出端，靠近管路输入端的一端设有支管，所述支管的末端设有流体泄压组件，所述支管的开口向管路输入端一侧倾斜，所述管路输入端、管路输出端之...
- 张燕曹原郭新峰唐鹏
- 文献传递
- 在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响被引量：1
- 2008年
- 用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好。
- 靳瑞敏陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜拉曼光谱
- 驻波法声速测量仪的设计及数据处理方法被引量：2
- 2018年
- 设计和制作了一款过程简单、测量误差小的全自动驻波法声速测量仪。实现对驻波场中各点声压大小的自动测量。利用该声速测量仪进行了声速测量实验并进行了数据处理。确定了声波的波长并计算出声速。大大减小了误差;根据波的时空双重周期性得到待测信号的频谱图,发现信号源频率不纯引起的次频共振现象是形成次峰和再次峰的重要原因。
- 石明吉罗鹏晖郭新峰
- 关键词：驻波法傅里叶变换
- 全自动相位差法声速测量实验数据的处理被引量：2
- 2018年
- 根据相位比较法声速测量数据的特点,采用数据处理手段将能量损耗的影响消除掉;为排除次峰的影响,考虑到声速测量数据中极值点的出现具有空间周期性,利用傅里叶变换处理数据得到待测信号的空间频谱图,确定了声波的波长并计算出声速.数据处理结果表明:由于消除了能量损耗的影响,排除了次峰干扰,使相位比较法测量声速的相对误差从0.97%减小为0.06%,也验证了次频共振现象是形成次峰的重要原因.
- 石明吉郭新峰李波波王飞
- 关键词：声速傅里叶变换空间频率
- 沉积温度对PECVD制备微晶硅薄膜性质的影响
- 2015年
- 采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。
- 王生钊黄奇瑞卢景霄石明吉陈兰莉郭新峰
- 关键词：PECVD沉积温度微晶硅薄膜晶化率晶粒尺寸
- 一种新型迈克尔逊干涉条纹测控装置及其使用方法
- 本发明涉及一种新型迈克尔逊干涉条纹测控装置，属于物理实验教学设备领域。该装置采用上位机控制器为核心控制单元，通过单片机，步进电机驱动器和步进电机控制迈克尔逊干涉仪读数鼓轮转动实现可动反射镜的移动，利用数据采集卡、硅光电池...
- 石明吉郭新峰杜瑞娟李静
- 管路流体湍急抑制装置
- 本发明的目的在于提供管路流体湍急抑制装置，本发明包括相互连通的管路输入端和管路输出端，靠近管路输入端的一端设有支管，所述支管的末端设有流体泄压组件，所述支管的开口向管路输入端一侧倾斜，所述管路输入端、管路输出端之间靠近管...
- 张燕曹原郭新峰唐鹏
- 文献传递
- CdSe/SiO_2异质复杂纳米结构的可控制备
- 2010年
- 复杂纳米结构至今依然是材料领域研究的前沿。采用简单的气相合成法,通过反应温度选择和初始反应物配方设计,实现了复杂形貌CdSe/SiO2异质纳米结构的可控制备,在直径为100nm左右的一维纳米棒端部成功嫁接了直径约400nm的碗状SiO2纳米空心球。通过XRD,FESEM,HRTEM,EDS和SAED等手段分析试样的形貌、成分和晶体学特征。XRD测试表明,生成产物是CdSe和SiO2的复合材料;EDS分析进一步确认一维纳米棒和碗状空心球的化学成分分别为CdSe和SiO2;HRTEM和SAED测试表明,CdSe纳米棒是沿[0002]方向生长的单晶结构,SiO2纳米空心球为非晶结构。这种新奇的异质纳米结构可以作为未来纳米靶向药物的载体材料。
- 郭新峰李壮辉陈兰莉
- 关键词：热蒸发法单晶非晶
