郑瑞生
- 作品数:72 被引量:72H指数:6
- 供职机构:深圳大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金深圳市科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究被引量:1
- 2008年
- 保温材料是影响高温气相法生长AlN晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备AlN最常用的保温材料,但是存在易引入C杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂AlN粉体制作了高温气相法生长AlN晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现,AlN保温材料具有耐高温、对W坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。但是,与石墨保温材料相比,AlN也存在热导率相对较高、在高温过程中AlN粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。
- 武红磊郑瑞生孟姝
- 关键词:氮化铝石墨晶体保温
- 一种制备P型氮化铝晶体的方法
- 本发明属于晶体制备领域,特别涉及一种制备P型氮化铝晶体的方法。本发明提供一种制备P型氮化铝晶体的方法,该方法以碳和硅(其中,碳为受主,硅为施主)作为共掺杂元素,采用独特的工艺,可以实现高空穴浓度P型氮化铝晶体的制备。该方...
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- 文献传递
- AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究被引量:1
- 2018年
- AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作。
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- 关键词:ALNPVTPLC
- 含有理想导体的准分形结构光子晶体的能带被引量:8
- 2004年
- 用时域有限差分方法计算了一组具有相似几何结构且包含理想金属材料的准分形光子晶体的能带 .数值计算结果表明 ,这种准分形结构光子晶体具有绝对带隙 ,且带隙的宽度会随着分形级数的增大而增大 .同时 ,随着级数的增大 ,其能带在整体地趋向于高频端的同时 。
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- 关键词:光子晶体带隙
- 气相生长氮化铝单晶的新方法被引量:8
- 2007年
- 通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用,逐渐长成较大尺寸、较高质量的氮化铝单晶。目前用该方法已经制备出直径大于2mm的氮化铝单晶体。
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- 关键词:氮化铝单晶
- 纳米到厘米尺寸氮化铝晶体材料的制备研究
- 氮化铝(AlN)晶体做为第三代半导体材料的典型代表,具有宽直接带隙(带宽6.2 eV)、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优点,同时,无毒性,对人体无害,对环境无污染,且原料来源丰富。因此,氮化铝非常适...
- 武红磊郑瑞生
- 关键词:宽禁带氮化铝晶体紫外
- 文献传递
- 一种钨铼合金及其应用
- 本发明提供了一种钨铼合金及其在制备氮化铝晶体中的应用。所述钨铼合金为钨铼多晶,且所述钨铼多晶的晶畴尺寸小于50μm,其中,所述钨铼合金所含的铼占15%‑35%。作为籽晶托可完全抑制气相传输法制备氮化铝晶体过程中的开裂的问...
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- 文献传递
- 等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法
- 一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法,包括如下步骤:采用等离子体焰流作为加热源,原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气,并通过载气送入,下粉速率可以调整和控制,使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为...
- 敬守勇郑瑞生刘文段子刚
- 文献传递
- 等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法
- 一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法,包括如下步骤:采用等离子体焰流作为加热源,原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气,并通过载气送入,下粉速率可以调整和控制,使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为...
- 敬守勇郑瑞生刘文段子刚
- 文献传递
- 自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺
- 本发明属于晶体制备领域,特别涉及一种制备氮化铝晶体的装置及对应的工艺。本发明提供自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺。该制备装置包括感应加热线圈、保温层、坩埚装置和坩埚升降装置,其中,坩埚装置由坩埚体、坩埚盖和盖片组成,...
- 武红磊郑瑞生
- 文献传递