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文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇宽带
  • 3篇电路
  • 3篇射频
  • 3篇射频收发
  • 3篇射频收发器
  • 3篇收发
  • 3篇收发器
  • 3篇集成电路
  • 3篇变压
  • 3篇变压器
  • 3篇超宽带
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路技术
  • 2篇电容
  • 2篇电容耦合
  • 2篇收发器设计
  • 2篇通信
  • 2篇频率综合器

机构

  • 7篇复旦大学

作者

  • 7篇郑仁亮
  • 6篇任俊彦
  • 6篇李宁
  • 6篇李巍
  • 3篇傅海鹏
  • 2篇杨光
  • 2篇姚望
  • 2篇江旭东
  • 2篇尹江伟
  • 2篇郑剑钦
  • 1篇叶凡
  • 1篇张楷晨

传媒

  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第七届中国通...

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2010
  • 2篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
OFDM超宽带射频收发器设计关键问题及单芯片实现
近几年在短距离无线通信领域,超宽带(Ultra-wideband,UWB)技术作为一种新型无线传输技术,在10米距离内能获得480Mb/s甚至更高的数据传输率,吸引了广泛关注和重视,被认为是未来短距离无线通信重要发展方向...
郑仁亮
关键词:超宽带射频收发器低噪声放大器混频器短距离无线通信
文献传递
一种用于片上变压器的高频等效电路结构
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种用于片上变压器的高频等效电路结构。本发明的电路结构包括:三电感以表示高频电感的自感及互感感值,四电容以表示顶层金属到衬底的氧化层电容,五并联结构以模拟有损耗的衬底,三电阻以表示接触孔...
任俊彦傅海鹏郑仁亮李巍李宁
超宽带系统CMOS全集成射频收发器设计
本文介绍3.1-4.8GHz MB-OFDM系统的CMOS射频收发器。电路采用直接变频架构,由接收器、发射器和频率综合器组成。采用PGs隔离技术和其他隔离措施完成了单片射频收发器的版图布局。后仿真结果表明,接收链路可提供...
郑仁亮杨光江旭东姚望尹江伟郑剑钦李巍李宁任俊彦
关键词:射频收发器频率综合器超宽带系统载波抑制
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片上小面积叠层结构变压器
本发明属微电子技术领域,具体涉及一种用标准集成电路工艺设计的小面积高性能片上叠层结构的变压器。本发明通过通孔叠层实现变压器的耦合传输,两金属层通过跳层并联,实现变压器两个信号端口的低阻特性和低寄生电容特性,实现高性能而面...
任俊彦傅海鹏郑仁亮李巍李宁
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一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器
本发明涉及一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器可以应用于3.1~4.8GHz、3.1~10.6GHz的超宽带中,或者900MHz~6GHz的认知无线电射频前端中。它基于共源跨导输入与电阻负反馈结构,由匹配...
任俊彦郑仁亮张楷晨李巍叶凡李宁
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超宽带系统CMOS全集成射频收发器设计被引量:1
2010年
本文介绍3.1-4.8GHz MB-OFDM系统的CMOS射频收发器。电路采用直接变频架构,由接收器、发射器和频率综合器组成。采用PGS隔离技术和其他隔离措施完成了单片射频收发器的版图布局。后仿真结果表明,接收链路可提供的最大增益为72dB,其52dB为可变增益,三个子频带内噪声系数介于5.2-7.8dB,带外IIP3不低于-3.4dBm。发射链路可提供的可控输出功率-8dBm到-2dBm,输出1dB压缩点不低于4dBm,输出信号边带抑制约44dBc,载波抑制不低于34dBc。频率综合器在三个频点间的跳变时间小于9ns。芯片采用Jazz0.18μm射频CMOS工艺设计,面积为6.1mm2。在1.8V电源电压下,总电流约221mA。
郑仁亮杨光江旭东姚望尹江伟郑剑钦李巍李宁任俊彦
关键词:超宽带射频收发器频率综合器
一种用于片上变压器的高频等效电路结构
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种用于片上变压器的高频等效电路结构。本发明的电路结构包括:三电感以表示高频电感的自感及互感感值,四电容以表示顶层金属到衬底的氧化层电容,五并联结构以模拟有损耗的衬底,三电阻以表示接触孔...
任俊彦傅海鹏郑仁亮李巍李宁
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共1页<1>
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