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邓正

作品数:46 被引量:26H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 28篇专利
  • 10篇会议论文
  • 6篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理

主题

  • 20篇半导体
  • 17篇导体
  • 15篇稀磁半导体
  • 9篇自旋
  • 8篇半导体材料
  • 7篇前躯体
  • 7篇固相反应法
  • 7篇磁阻
  • 7篇磁阻效应
  • 6篇电荷
  • 6篇稀磁半导体材...
  • 5篇烧结温度
  • 5篇铁磁
  • 5篇晶系
  • 5篇ZN
  • 5篇MN
  • 4篇单晶
  • 4篇电荷分离
  • 4篇铁基
  • 4篇助熔剂

机构

  • 46篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇河南省科学院
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 46篇邓正
  • 46篇靳常青
  • 15篇陈碧娟
  • 12篇望贤成
  • 10篇赵侃
  • 7篇张俊
  • 5篇张思佳
  • 5篇刘清青
  • 4篇李文敏
  • 3篇刘敏
  • 3篇刘青清
  • 3篇冯少敏
  • 2篇吕玉玺
  • 2篇李永庆
  • 2篇朱金龙
  • 2篇禹日成
  • 2篇韩伟
  • 1篇孔盼盼
  • 1篇植村泰朋
  • 1篇高伟波

传媒

  • 3篇中国晶体学会...
  • 2篇物理学报
  • 2篇物理
  • 2篇高压物理学报
  • 1篇第17届中国...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 13篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
46 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种铁磁半导体材料Li(Zn,Mn)P及其制备方法
本发明提供一种铁磁半导体材料,其化学式为Li<Sub>y</Sub>(Zn<Sub>1?x</Sub>Mn<Sub>x</Sub>)P,其中0.5&lt;y&lt;1.5,0&lt;x&lt;0.5。本发明还提供一种制备...
邓正靳常青
文献传递
一种铁基超导晶体及其制备方法
本发明公开了一种铁基超导材料及其制备方法,该超导晶体材料为Li<Sub>x</Sub>FeP,其中0.3<x<1.8,x表示原子百分比含量。本发明还提供了一种Li<Sub>x</Sub>FeP晶体的高压合成方法,在0~6...
靳常青邓正望贤成刘青清吕玉玺朱金龙
文献传递
一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
本发明提供一种铁磁半导体材料的单晶生长方法,所述铁磁半导体材料的化学式为(Ba<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>K<Sub>x</Sub>)(Zn<Sub>1‑y</Sub>Mn<Sub>y</Sub>)...
靳常青赵国强邓正
文献传递
一种稀磁半导体材料(Ca
本发明提供一种稀磁半导体材料,其化学式为(Ca<Sub>1-x</Sub>Na<Sub>x</Sub>)(Zn<Sub>1-y</Sub>Mn<Sub>y</Sub>)<Sub>2</Sub>As<Sub>2</Sub>...
靳常青赵侃邓正
文献传递
自旋电荷分离的新型稀磁半导体研究进展
我们利用自旋与电荷分别注入的机制,先后研制了多种新型稀磁半导体新体系,分别为"111"型Li(Zn,Mn)As和Li(Zn,Mn)P,"122"型(Ba,K)(Zn,Mn)As,(Sr,Na)(Zn,Mn)As和(Ca,...
邓正赵侃陈碧娟赵国强于爽靳常青
氟基铁磁半导体材料及其制备方法
本发明提供了一种氟基铁磁半导体材料及其制备方法,所述氟基铁磁半导体材料的化学式为(Ba<Sub>1‑x</Sub>K<Sub>x</Sub>)F(Zn<Sub>1‑y</Sub>Mn<Sub>y</Sub>)As,其中x...
靳常青陈碧娟邓正
文献传递
镉基铁磁半导体材料及其制备方法
本发明提供了一种镉基铁磁半导体材料及其制备方法,所述镉基铁磁半导体材料的化学式为(Sr<Sub>1‑x</Sub>Na<Sub>x</Sub>)(Cd<Sub>1‑y</Sub>Mn<Sub>y</Sub>)<Sub>2...
靳常青陈碧娟邓正
文献传递
一种半导体材料BaF<Sub>x</Sub>ZnAs及其制备方法
本发明提供一种半导体材料,其化学式为BaF<Sub>x</Sub>ZnAs,其中0.5≤x≤1.5。本发明还提供一种制备上述材料的方法,利用固相反应法,烧结前躯体,其中所述前躯体包括BaF<Sub>2</Sub>、Ba、...
陈碧娟邓正靳常青
文献传递
一种晶体及其制备方法与应用
本发明涉及一种晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Y<Sub>2</Sub>NiIrO<Sub>6</Sub>。本发明一实施方式的晶体,具有磁交换偏置效应,仅需十几高斯量级的冷却场就能产生特斯拉量级的交换偏置场。
靳常青邓正赵建发彭毅望贤成
面向应用的新一代稀磁半导体研究进展
2024年
稀磁半导体具有能同时调控电荷与自旋的特性,是破解摩尔定律难题的候选材料之一.我们团队率先提出了稀磁半导体中自旋和电荷掺杂分离的机制,探索并研制了新一代稀磁半导体材料,为突破经典稀磁半导体材料的制备瓶颈提供了有效解决方案.以(Ba,K)(Zn,Mn)_(2)As_(2)等为代表的新一代稀磁半导体,通过等价态的Mn掺杂引入自旋、异价态的非磁性离子掺杂引入电荷,成功实现了230 K的居里温度,刷新了可控型稀磁半导体的居里温度记录.本文将重点介绍几种代表性的新一代稀磁半导体的设计与研制、新一代稀磁半导体的综合物性表征、大尺寸单晶生长以及基于单晶的安德烈夫异质结研制.我们团队通过新一代稀磁半导体的新材料设计研制、综合物性研究、简单原型器件构建的“全链条”模式研究,开拓了自旋电荷分别掺杂的稀磁半导体材料研究领域,充分展现了自旋和电荷掺杂分离的新一代稀磁半导体材料潜在应用前景.
彭毅赵国强邓正靳常青
关键词:高居里温度
共5页<12345>
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