赵丽伟
- 作品数：20 被引量：15H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究被引量：4
- 2005年
- 本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
- 赵丽伟刘彩池滕晓云朱军山郝秋艳孙世龙王海云徐岳生胡家辉冯玉春郭宝平
- 关键词：GAN湿法腐蚀SEM
- 双缓冲层对GaN外延层中缺陷的影响
- 本文报道分别在单缓冲层(高温AlN)和双缓冲层(高温AlN+低温GaN)上生长相同厚度的GaN 外延片。双晶X射线衍射(DCXRD)与透射电子显微镜(TEM)观察发现,单缓冲层上生长的样品晶体质量较差,内部含有位错、反畴...
- 赵丽伟滕晓云郝秋艳王海云张帷刘彩池
- 关键词：GAN位错TEM
- 文献传递
- 硅基外延氮化镓失配问题的研究
- 刘彩池郝秋艳解新建陈贵锋冯玉春朱军山赵丽伟景微娜
- 项目名称：硅基衬底外延氮化镓失配问题研究（E200500042）。任务来源：河北省自然科学基金。GaN是继Si、GaAs之后的第三代重要的半导体材料，它的禁带宽度宽，电子迁移率高，高的击穿电压、耐高温、耐化学腐蚀等优良特...
- 关键词：
- 关键词：失配
- 快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量：1
- 2006年
- 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.
- 张建强刘彩池周旗钢王敬郝秋艳孙世龙赵丽伟滕晓云
- 关键词：CZSI流动图形缺陷
- 快速热处理对重掺硼硅片中氧沉淀行为的影响
- 对重掺硼硅片快速热处理,发现快速热处理有效地促进了氧沉淀的生成,并获得一定的清洁区。随着快速热处理温度的升高,氧沉淀的密度在减小,清洁区逐渐出现。较低的温度下,对重掺硼进行快速热处理,主要是硼促进氧沉淀的形成,快速升温激...
- 孙世龙刘彩池赵丽伟滕晓云
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
- 2006年
- 对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.
- 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情
- 关键词：氧沉淀
- 原子力显微镜在GaN研究中的应用被引量：2
- 2006年
- 本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明,GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μm的GaN表面出现小坑———V缺陷,密度约为108cm-2。
- 王其民赵丽伟滕晓云张帷刘彩池
- 关键词：原子力显微镜GAN表面形貌
- Si基外延GaN中位错的分布
- 本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播。利用湿法腐蚀有效地显示了CaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头。在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,表明外延生长过程中位错密度逐渐降低,它是由于GaN...
- 赵丽伟刘彩池滕晓云郝秋艳孙世龙徐岳生
- 关键词：GAN位错SEM
- 文献传递
- Si衬底GaN基材料及器件的研究被引量：3
- 2006年
- GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况。
- 滕晓云刘彩池郝秋艳赵丽伟张帷
- 关键词：GANSI衬底
- Si基外延GaN中位错的湿法化学腐蚀
- 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜...
- 赵丽伟郭宝平刘彩池郝秋艳滕晓云朱军山孙世龙王海云徐岳生冯玉春
- 关键词：GAN湿法腐蚀原子力显微镜
- 文献传递
