裴亚芳
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程化学工程更多>>
- PST陶瓷及薄膜材料研究
- 铁电材料在微波可调器件上有着广阔的应用前景,如移相器、谐振器、滤波器等,目前这类材料中研究得最成熟是BaxSr1-xTiO3(BST)及其掺杂系列。而最近,Cross等发现PbxSr1-xTiO3(PST)陶瓷介电系数可...
- 裴亚芳
- 关键词：铁电材料陶瓷工艺射频磁控溅射
- 文献传递
- 晶化温度对钛酸锶钡薄膜电学性能的影响
- 采用射频磁控溅射，以铝酸镧（LaAlO3）为基片制备钛酸锶钡（BST）薄膜，研究了不同晶化温度对BST薄膜显微结构、介电特性的影响。研究表明：BST 薄膜在800℃晶化温度下已形成钙钛矿结构，且随着晶化温度的升高，BST...
- 张瑞婷杨传仁陈宏伟张继华裴亚芳
- 关键词：晶化温度钛酸锶钡薄膜电学性能射频磁控溅射介电特性
- 文献传递
- PST陶瓷的微结构和电性能研究
- 研究了 Pb 含量对 PbSrTiO(x=0．2～0．8) 陶瓷微结构和介电性能的影响,当 x＜0．45时,c/a≈1, 晶体为立方顺电相;x≥0．45时,cla＞1,晶体为四方铁电相;随着 Pb/Sr 比增大,PST ...
- 陈宏伟杨传仁裴亚芳张继华
- 关键词：陶瓷微结构介电性能
- 文献传递
- Pb_xSr_(1-x)TiO_3陶瓷及薄膜的制备和性能研究
- 2007年
- 研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x〈0．45时晶体为立方相，x≥0．45时为四方相；随着Pb的摩尔分数增大，陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向移动，并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si（100）上制备了Pb0.3Sr0．7TiO3（PST30）薄膜，经550℃退火后为（111）择优取向的多晶薄膜，1kHz下的可调率为21．8％。
- 裴亚芳杨传仁陈宏伟张继华冷文健
- 关键词：射频磁控溅射微结构介电性能
- PST陶瓷的微结构和电性能研究
- 2007年
- 研究了Pb含量对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x＜0.45时，c/a≈1，晶体为立方顺电相；x≥0．45时，c/a＞1，晶体为四方铁电相；随着Pb/Sr比增大，PST陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向移动，并具有一致的居里外斯常数，剩余极化强度（Pt）、矫顽场强（Ec）都增大。
- 陈宏伟杨传仁裴亚芳张继华
- 关键词：陶瓷微结构介电性能
- 钛酸锶铅铁电薄膜的制备、应用及其研究进展被引量：5
- 2006年
- 综述了钛酸锶铅(PST)铁电薄膜目前最常用的4种制备工艺:溶胶-凝胶(Sol_gel)法、磁控溅射(Magnetron Sput-tering)、脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD),并简要介绍了PST目前的研究进展以及PST薄膜在铁电移相器、动态随机存储器(DRAM)和热释电红外探测器方面的应用,提出了发展展望。
- 裴亚芳杨传仁陈宏伟张继华冷文健
- 关键词：铁电薄膜
- 射频磁控溅射法制备BST薄膜及性能研究被引量：2
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法制备了钛酸锶钡薄膜材料,研究了薄膜的晶体结构和微观形貌,测试了其偏压特性曲线和电滞回线。初步探讨了εr-E曲线、电滞回线发生平移的原因:上下电极与钛酸锶钡薄膜间的界面势垒不对称。
- 陈宏伟杨传仁符春林裴亚芳胡立业
- 关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡电滞回线
