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薛永奇

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:华南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广州市科技计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇GAN薄膜
  • 2篇ECR
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体辅助
  • 1篇有机金属
  • 1篇气相沉积
  • 1篇显微硬度
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束辅助
  • 1篇金属
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析

机构

  • 5篇华南师范大学

作者

  • 5篇薛永奇
  • 4篇王燕
  • 4篇陈俊芳
  • 3篇郭超峰
  • 2篇李炜
  • 1篇孟然
  • 1篇李炜
  • 1篇符斯列
  • 1篇邵士运
  • 1篇赵益冉

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
离子束辅助电子束蒸发沉积TiN薄膜及其研究
TiN是过渡金属氮化物,具有硬度大、熔点高、抗腐蚀性、抗磨损性及抗氧化性好,良好的导电性和导热性,并且具有独特的金黄色,在机械工业、微电子制造业、珠宝装饰业、玻璃制造业、医学和太阳能吸收等领域具有广泛的应用前景,有关它的...
薛永奇
关键词:氮化钛离子束辅助显微硬度光学性能
在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
本发明是一种在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法。包括有如下步骤:1)对ECR等离子体空间分布进行诊断;2)对ECR等离子体的基团进行发射光谱分析;3)在硅衬底上先沉积一层TiN过渡层;4)在硅衬底上制备掺杂渐变结构的...
陈俊芳李炜孟然薛永奇王燕
文献传递
ECR-MOPECVD低温沉积GaN薄膜的研究
宽禁带直接带隙GaN蓝光薄膜材料,具有高亮度、低能耗,GaN材料激发的蓝光辐射和红光、绿光一起构成白光三基色,在平板显示、光存储、蓝光激光器和功率晶体管等光电子领域发挥广泛的应用。
陈俊芳李炜郭超峰王燕薛永奇
关键词:GAN薄膜
文献传递
等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
2010年
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。
郭超峰陈俊芳符斯列薛永奇王燕邵士运赵益冉
关键词:化学气相沉积GAN
ECR-MOPECVD低温沉积GaN薄膜的研究
宽禁带直接带隙GaN蓝光薄膜材料,具有高亮度、低能耗,GaN材料激发的蓝光辐射和红光、绿光一起构成白光三基色,在平板显示、光存储、蓝光激光器和功率晶体管等光电子领域发挥广泛的应用。
陈俊芳李炜郭超峰王燕薛永奇
关键词:GAN薄膜
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