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董西亮

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院北京市辐射中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇离子注入
  • 1篇晶格
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇光谱
  • 1篇GA
  • 1篇MEV
  • 1篇超晶格
  • 1篇P
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇北京师范大学

作者

  • 2篇董西亮
  • 2篇英敏菊

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变被引量：1
2008年
对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0．038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得比较好。在较高注入剂量下应变达到饱和，说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。
英敏菊董西亮
关键词：离子注入GAAS超晶格拉曼光谱
0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
2008年
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明在所选用的注量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038，说明在这样的注入条件下，注入区的结晶态仍然保持地比较好。在较高注量下应变达到饱和，应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。
英敏菊董西亮
关键词：离子注入
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共1页<1>
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