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董梁

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇寄生效应
  • 4篇光电
  • 4篇光电二极管
  • 4篇二极管
  • 4篇半导体
  • 3篇外延层
  • 2篇电极
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电流增益
  • 2篇电路
  • 2篇电器
  • 2篇电器件
  • 2篇氧化层
  • 2篇载流
  • 2篇载流子
  • 2篇增益
  • 2篇双极性
  • 2篇双极性晶体管
  • 2篇碳化硅

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇董梁
  • 8篇张波
  • 8篇张有润
  • 6篇孙成春
  • 6篇刘影
  • 4篇张飞翔
  • 2篇吴浩然
  • 2篇高向东
  • 2篇张明
  • 2篇马金荣

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种光电集成电路的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，...
张有润董梁刘影张飞翔孙成春张波
文献传递
一种光集成固体继电器
本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的光集成固体继电器。该光集成固体继电器，包括集成于同一衬底上的控制电路和输出端功率半导体器件，还包括光电池阵列，所述光电池阵列集成在输出端功率半导体器件表面的漂移区，所述光电池阵列由...
张有润董梁刘影吴浩然张波
文献传递
一种碳化硅双极性晶体管
本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N<Sup>+</Sup>发射区205与P<Sup>+</Sup>掺杂区207之间的P<Sup>-</Sup>基区...
张有润孙成春董梁马金荣张波
文献传递
一种光电集成电路的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，...
张有润董梁刘影张飞翔孙成春张波
文献传递
一种光集成固体继电器
本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的光集成固体继电器。该光集成固体继电器，包括集成于同一衬底上的控制电路和输出端功率半导体器件，还包括光电池阵列，所述光电池阵列集成在输出端功率半导体器件表面的漂移区，所述光电池阵列由...
张有润董梁刘影吴浩然张波
一种快速光电探测器
本发明涉及电子元器件技术，具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器，包括相连接的光电二极管和放大电路，所述光电二极管包括N+衬底101、N-外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106，所述N...
张有润董梁孙成春张飞翔刘影张明高向东张波
文献传递
一种快速光电探测器
本发明涉及电子元器件技术，具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器，包括相连接的光电二极管和放大电路，所述光电二极管包括N+衬底101、N‑外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106，所述N...
张有润董梁孙成春张飞翔刘影张明高向东张波
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一种碳化硅双极性晶体管
本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N<Sup>+</Sup>发射区205与P<Sup>+</Sup>掺杂区207之间的P<Sup>‑</Sup>基区...
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