您的位置： 专家智库 > >

莫富尧

作品数：7 被引量：5H指数：2
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金NSFC-广东联合基金更多>>
相关领域：电子电信经济管理理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇场发射
  • 4篇场发射特性
  • 2篇等离子体
  • 2篇原位
  • 2篇原子
  • 2篇输运
  • 2篇输运特性
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇辉光
  • 2篇硼
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇电子发射
  • 1篇信息化
  • 1篇信息化社会
  • 1篇信息化时代
  • 1篇原位处理
  • 1篇原子质量
  • 1篇社会

机构

  • 7篇中山大学

作者

  • 7篇莫富尧
  • 7篇许宁生
  • 7篇陈军
  • 7篇邓少芝
  • 4篇苏赞加
  • 4篇刘飞
  • 4篇李力
  • 3篇刘飞
  • 2篇金顺玉
  • 2篇郭同义
  • 1篇李力

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇新材料产业
  • 1篇2010中国...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 5篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究被引量：2
2010年
报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30～125nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3V/μm,阈值电场为12.2V/μm,最大电流密度达1440μA/cm2。这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料。
苏赞加刘飞李力莫富尧金顺玉陈军邓少芝许宁生
关键词：无催化剂场发射
一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法
本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极，并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴?栅或阴?阳极之间施加高电压实现场致电子发射，再将重...
刘飞许宁生莫富尧郭同义邓少芝陈军
文献传递
大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究
本文报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。这种方法无需仟何催化剂，并且可以获得大面积单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm，直径在30-125 nm之间，为沿着方向生长...
苏赞加刘飞李力莫富尧金顺玉陈军邓少芝许宁生
关键词：场发射特性电流密度
文献传递
FED的进展及国内外产业概况被引量：3
2010年
21世纪，全球进入了信息化时代，平板显示器成为信息化社会的关键性器件之一，成为国内外科技工作者的研究焦点。其中，FED（Field Emission Display，场发射显示器）作为一种极具发展前景的新型显示器件，更加引起了人们的广泛关注。它的工作原理是利用图案化的场发射材料作电子发射源放置于阴极，
刘飞李力苏赞加莫富尧邓少芝陈军许宁生
关键词：FEDDISPLAY场发射显示器显示器件信息化时代信息化社会
硼纳米线的可控制备及其单根纳米结构的输运和场发射特性研究
＜正＞近年来,随着一维纳米材料在微纳电子器件领域研究的快速发展,它们引起了人们的广泛关注。而硼一维纳米结构则由于其特殊的物理和化学特性,成为了许多科技工作者的研究目标。在其在微纳电子
刘飞苏赞加李力莫富尧陈军邓少芝许宁生
关键词：输运特性场发射特性
文献传递
硼纳米线的可控制备及其单根纳米结构的输运和场发射特性研究
刘飞苏赞加李力莫富尧陈军邓少芝许宁生
关键词：输运特性场发射特性
一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法
本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极，并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴-栅或阴-阳极之间施加高电压实现场致电子发射，再将重...
刘飞许宁生莫富尧郭同义邓少芝陈军
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0