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茅昕辉

作品数:22 被引量:146H指数:7
供职机构:上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 6篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇溅射
  • 5篇微机电系统
  • 5篇机电系统
  • 5篇电系统
  • 4篇电感器
  • 4篇反应溅射
  • 4篇MEMS
  • 4篇磁控
  • 3篇电感
  • 3篇执行器
  • 3篇显示器
  • 3篇显示器件
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇氧化铝薄膜
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇应力
  • 2篇软磁
  • 2篇射线衍射
  • 2篇衰减器

机构

  • 13篇上海交通大学
  • 12篇东南大学
  • 1篇上海工程技术...

作者

  • 22篇茅昕辉
  • 9篇蔡炳初
  • 7篇吴茂松
  • 5篇杨春生
  • 5篇赵小林
  • 5篇陈国平
  • 3篇周勇
  • 2篇曹莹
  • 2篇刘云峰
  • 2篇张浩康
  • 2篇陈吉安
  • 2篇丁文
  • 1篇赵晓昱
  • 1篇陈丹晔
  • 1篇禹金强

传媒

  • 4篇电子器件
  • 4篇微细加工技术
  • 2篇真空
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇光电子技术
  • 2篇压电与声光
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇飞通光电子技...
  • 1篇第五届全国微...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究被引量:18
2002年
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。
茅昕辉禹金强周勇吴茂松蔡炳初
关键词:巨磁阻抗多层膜软磁材料
用于LCD的氧化铝阻挡层的射频反应溅射沉积及其特性被引量:9
1998年
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜,用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试结果表明,所沉积的Al2O3薄膜满足LCD器件阻挡层的要求。
茅昕辉张浩康陈国平
关键词:射频溅射反应溅射LCD阻挡层液晶显示器件
MEMS螺线管型电感器正负胶结合的加工工艺被引量:9
2002年
MEMS螺线管型电感器由于具有很多优点 ,其用途或潜在用途相当广泛。为了获得高质量的MEMS螺线管型电感器 ,在充分利用SU - 8特点的基础上 ,结合使用正胶AZ - 4 0 0 0系列和负胶SU - 8系列 ,新开发了UV -LIGA多层微加工工艺 ,它主要包括 :在基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层 ,涂布正胶 ,紫外光刻得到电镀模具 ,电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯 ;在完成下层和中层后 ,分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台 ,即涂布负胶覆盖较下层结构 ,光刻开出通往较上一层的通道并使SU - 8聚合、交联以满足性能要求。实验表明该工艺是可行和实用的。它除了可用于螺线管电感器的加工 ,还可以用来加工其它三维结构的MEMS器件。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:MEMS电感器SU-8微加工
脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用被引量:9
2001年
脉冲溅射是一种新型的、用于消除直流反应溅射中异常放电的技术。通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反应溅射沉积实验 ,讨论了脉冲溅射参数对异常放电的抑制效果 ,以及对氧化铝薄膜的沉积速率和折射率的影响。
茅昕辉蔡炳初陈国平
关键词:氧化铝薄膜
新型MEMS可变光衰减器的微磁执行器被引量:4
2003年
探讨了新型可变光衰减器——光纤横向偏移型MEMS可变光衰减器的微磁驱动方式,从理论上分析了微磁执行器设计时应遵从的原理,讨论和设计了微磁执行器的各个参数,新开发了结合使用正胶(AZ-4000系列)和负胶(SU-8系列)的UV-LIGA工艺:在制作了光纤定位槽的基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层,涂布正胶,紫外光刻得到电镀模具,电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯;在完成下层和中层后,分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台,即涂布负胶覆盖较下层结构,光刻开出了通往较上一层的通道并使SU-8聚合、交联以满足性能要求。并运用该工艺实现了微磁执行器。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:微机电系统MEMS可变光衰减器电感器VOA
曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究
2005年
采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1~40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
陈吉安茅昕辉赵晓昱丁文曹莹周勇
关键词:磁控溅射
交流磁控溅射技术及其应用被引量:5
1998年
本文阐述了交流溅射技术的原理、特点及其应用。
刘云峰茅昕辉张浩康陈国平
铁芯和空芯螺线管型微电感器的性能比较
2003年
为了满足RF电路、电源电路、微执行器和微传感器等领域对高性能和工艺简单的电感器的广泛需求,用正、负胶结合的微加工工艺,在硅基片上制作了有坡莫合金铁芯的和在玻璃基片上没有铁芯的、其它结构和参数均相同的两种螺线管型微电感器,测试了它们在1~40MHz频率范围的电感、电阻和Q因子,并进行了比较和讨论。其结果与现有理论知识相一致。实验证明了具有坡莫合金铁芯的螺线管型微电感器在低于30MHz的频率下使用更有意义。而无铁芯螺线管型微电感器还可以用于更高频率的场合。
吴茂松杨春生茅昕辉赵小林蔡炳初
关键词:微机电系统电感器SU-8微加工螺线管
用于Gb级DRAM的TiO_2薄膜结构的研究被引量:1
1996年
运用反应磁控溅射技术制备了应用于Gb级DRAM中的TiO2薄膜。本文报道了对该薄膜进行X射线衍射结构分析所得到的详细结果。
茅昕辉陈国平张旭苹
关键词:X射线衍射二氧化钛
平板显示器件中碱金属离子阻挡膜的研究
随着"信息时代"的到来,各种新型平板显示器件受到人们的青睐.玻璃是各种平板显示器件中最普遍使用的基本结构材料,但玻璃中的碱金属离子容易迁移至玻璃表现析出,使显示器件的特性劣化.在玻璃基板上镀制碱金属离子阻挡膜,是较好的解...
茅昕辉
关键词:反应溅射平板显示
共3页<123>
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