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范雪

作品数：16 被引量：44H指数：4
供职机构：电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学哲学宗教更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇哲学宗教

主题

  • 5篇单粒子
  • 5篇总剂量
  • 5篇存储器
  • 4篇单粒子效应
  • 4篇阵列
  • 4篇现场可编程
  • 4篇现场可编程门...
  • 4篇门阵列
  • 4篇可编程门阵列
  • 3篇总剂量辐射
  • 2篇电离辐射
  • 2篇电路
  • 2篇定制
  • 2篇总剂量效应
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片面积
  • 2篇抗辐射
  • 2篇灰度
  • 2篇二极管
  • 2篇发光

机构

  • 16篇电子科技大学
  • 3篇西北核技术研...
  • 2篇中国科学院新...
  • 2篇成都华微电子...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 16篇范雪
  • 10篇李平
  • 6篇谢小东
  • 6篇李威
  • 4篇王刚
  • 3篇郭红霞
  • 2篇肖尧
  • 2篇李威
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  • 1篇丛伟林
  • 1篇张健

传媒

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  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇现代显示

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2005
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
^(252)Cf源和重离子加速器对FPGA的单粒子效应被引量：6
2011年
对10万门基于静态随机存储器的现场可编程门阵列(FPGA)分别在锎-252(252 Cf)源和HI-13串列加速器下进行了单粒子效应试验研究,测试了静态单粒子翻转截面及发生单粒子闩锁的线性能量转移阈值,并对试验结果进行了等效性分析比较。试验结果表明:252 Cf源引起的FPGA单粒子翻转截面比重离子加速器引起的约低1个数量级;使用252 Cf源未能观测到该器件的单粒子闩锁现象,而使用重离子加速器可以测出该FPGA发生单粒子闩锁的线性能量转移阈值;在现代集成电路的宇航辐射效应地面模拟单粒子效应试验中,252 Cf源不是理想的测试单粒子闩锁的辐射源。
范雪李平李威杨志明张斌郭红霞姚志斌
关键词：现场可编程门阵列单粒子效应重离子加速器
铁电存储单元单粒子翻转机理仿真研究被引量：1
2015年
采用电路仿真的方法对铁电存储单元中不同电路节点的单粒子效应敏感性进行了研究,分析了铁电存储单元发生单粒子翻转的机理.仿真结果表明,铁电存储单元的单粒子翻转效应与铁电电容的极化状态有关.当单粒子入射阵列中截止态NMOS管时,只会造成存"0"铁电电容的极化翻转;板线上的单粒子瞬态脉冲对存储数据无影响.根据2T2C和1T1C型铁电存储单元的读出方式,分别分析了可能发生的数据翻转类型.提出了铁电存储单元抗单粒子翻转的加固措施.
辜科李平李威范雪
关键词：铁电存储器单粒子翻转电路仿真
无源OLED256级灰度的子场控制技术方案的研究
继液晶之后，有机电致发光二极管（OLED）在平板显示领域里的研究和应用成为了新的热点。因为有机电致发光二极管作为信息显示的一种工具，有着很多优点：基于薄膜工艺而产生，可以完全实现轻、平、薄的特点;主动发光，可以让画面看起...
范雪
关键词：现场可编程门阵列
文献传递
锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟被引量：5
2013年
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。
张晋新郭红霞文林郭旗崔江维范雪肖尧席善斌王信邓伟
关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应激光微束电荷收集
一种总剂量辐射加固的半导体存储器
一种总剂量辐射加固的半导体存储器，涉及集成电路。本发明包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。本发明的有益效果是，能够在原先半...
李平王刚李威张大华谢小东李建军范雪
文献传递
一种总剂量辐射加固的半导体存储器
一种总剂量辐射加固的半导体存储器，涉及集成电路。本发明包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。本发明的有益效果是，能够在原先半...
李平王刚李威张大华谢小东李建军范雪
文献传递
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究被引量：2
2014年
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.
肖尧郭红霞张凤祁赵雯王燕萍丁李利范雪罗尹虹张科营
关键词：单粒子效应静态随机存储器
基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究被引量：1
2012年
使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。
王刚李威李平李祖雄范雪姜晶
关键词：感应耦合等离子体干法刻蚀刻蚀速率表面形貌
OLED显示的灰度控制被引量：3
2005年
阐述信息显示中实现灰度显示的基本原理。根据有机发光二极管的特性,从电气灰度调制、空间灰度调制及时间灰度调制三方面列举了当前有机电致发光器件实现灰度级显示的主要方法,并分析和比较了每种方法的工作机理和应用特点,在此基础上提出了利用可编程模拟器件控制灰度级的新想法。
范雪张义德成建波
关键词：有机发光二极管灰度级可编程模拟器件
0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究
2011年
针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特性,在国内首次测试了该工艺尺寸的flash存储器件的总剂量辐射效应特性。得到了其工作电流漂移的总剂量阈值为45 krad(Si)和功能失效总剂量阈值为92 krad(Si)的试验结果。
范雪李平谢小东李辉杨志明丛伟林
关键词：总剂量效应射线
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