苗杉杉
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院应用物理学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 半绝缘InP单晶的Fe掺杂激活及缺陷研究
- 本论文的主要工作是利用霍尔测量和傅立叶变换红外吸收谱研究半绝缘磷化铟材料中Fe的掺杂激活与电学补偿机制，并利用霍尔测量和化学腐蚀测量方法研究InP材料的表面微缺陷，在此基础上揭示制备Fe激活效率高、电学性能好、均匀性好、...
- 苗杉杉
- 关键词：INP退火半绝缘
- 文献传递
- 深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响被引量：4
- 2007年
- 对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿,降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下,利用磷化铁气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低,通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级,材料表现出优异的电学性质.在此基础上给出了一个更为广泛的半绝缘InP材料的电学补偿模型.
- 杨俊赵有文董志远邓爱红苗杉杉王博
- 关键词：INP半绝缘深能级电学补偿
- 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿被引量：3
- 2006年
- 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的“踢出-替位”机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.
- 苗杉杉赵有文董志远邓爱红杨俊王博
- 关键词：INP退火半绝缘
- 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响被引量：3
- 2007年
- 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.
- 赵有文苗杉杉董志远吕小红邓爱红杨俊王博
- 关键词：磷化铟退火半绝缘
- 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷被引量：5
- 2007年
- 对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究.除铁受主外,磷化铁(FeP2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷,而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰,对应的激活能分别为0.23eV,0.26eV,0.31eV,0.37eV和0.46eV.磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多,电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征.与辐照前相比,辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化.在同样的条件下,经FeP2气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快.根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.
- 王博赵有文董志远邓爱红苗杉杉杨俊
- 关键词：磷化铟电子辐照掺杂
