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艾定飞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电输运
  • 1篇输运
  • 1篇晶界
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇BA
  • 1篇MNO

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇刘长征
  • 1篇艾定飞
  • 1篇戴明星
  • 1篇金磊
  • 1篇周千学

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺杂TiO_2的La_(2/3)Ba_(1/3)MnO_3电输运与磁电阻特性
2005年
通过固相反应法制备了(1-x)La2/3Ba1/3MnO3+xTiO2(x=0%～5%)多晶陶瓷样品.实验发现,随着TiO2掺杂量的增加,电阻率明显增大,金属-绝缘相转变温度Tp值下降.通过室温(300K)和低温(78 K)下不同磁场的磁电阻计算表明,适量的TiO2掺杂会明显提高材料的磁电阻性能;在1T磁场下,TiO2掺杂量为1%的样品室温磁电阻达到12%,这是未掺杂La2/3Ba1/3MnO3相同条件下的3倍,为磁电阻传感器研究提供了实验依据.
刘长征戴明星周千学金磊艾定飞
关键词：磁电阻晶界掺杂
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共1页<1>
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