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胡卫生

作品数：5 被引量：6H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇铁电
  • 4篇铁电薄膜
  • 3篇铌酸锂
  • 2篇电场诱导
  • 2篇蒸法
  • 2篇闪蒸法
  • 2篇自发极化
  • 2篇薄膜生长
  • 1篇电场
  • 1篇淀积
  • 1篇调制结构
  • 1篇压电薄膜
  • 1篇生长温度
  • 1篇铁电存储器
  • 1篇气相淀积
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇静电
  • 1篇静电场
  • 1篇抗疲劳

机构

  • 5篇南京大学

作者

  • 5篇胡卫生
  • 4篇刘治国
  • 2篇冯端
  • 1篇吴状春
  • 1篇杨彬
  • 1篇闵乃本
  • 1篇王牧
  • 1篇陈延峰
  • 1篇刘俊明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件
高T<Sub>C</Sub>铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件,利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高T<Sub>C</Sub>铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi<Sub>3</Sub>TiNbO<Sub...
杨彬胡卫生陈延峰刘治国闵乃本
文献传递
一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置
本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场,使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列,从而达到取...
刘治国胡卫生冯端
文献传递
铁电压电薄膜与调制结构的取向生长及其新效应的研究
胡卫生
关键词：铁电压电薄膜调制结构
低电场下LiNbO_3薄膜在非晶衬底上的取向生长被引量：6
1998年
报道了外加低电场和衬底温度对脉冲激光淀积法制备的ＬｉＮｂＯ３薄膜取向的影响．在衬底温度为６００℃和外加电场为７Ｖ／ｃｍ的条件下，在石英玻璃等非晶态衬底上获得了完全（００１）取向的ＬｉＮｂＯ３薄膜．在对具有自发极化的ＬｉＮｂＯ３在电场作用下成核生长机制和温度对ＬｉＮｂＯ３自发极化强度的影响进行分析的基础上。
吴状春胡卫生刘俊明王牧刘治国
关键词：铁电薄膜铌酸锂薄膜生长
一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置
本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场，使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列，从而达到取...
刘治国胡卫生冯端
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