祝兰
- 作品数：8 被引量：6H指数：1
- 供职机构：暨南大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响被引量：3
- 2009年
- 采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tanδ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升。当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tanδ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1 434。
- 刘彭义陈亚君祝兰武春红
- 关键词：准同型相界相结构机电性能
- 一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb<Sub>0.98</Sub>Sr<Sub>0.02</Sub>(Mn<Sub>1/3</Sub>Sb<Sub>2/3</Sub...
- 刘彭义常鹏祝兰陈伟业
- PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究
- 近年来,电子设备不断趋向小型化、微型化,对电子元器件提出了高效能、小型化、集成化的要求。电源是这些电子设备中的一个重要部件,目前所用变压器多为体积较大的电磁式变压器。因此,发展新一代电源变压器成为当前国际上的一个研究热点...
- 祝兰
- 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅介电损耗机械品质因数
- 文献传递
- 不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内，铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453．
- 祝兰陈亚君常鹏
- 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅压电性能
- 一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb<Sub>0.98</Sub>Sr<Sub>0.02</Sub>(Mn<Sub>1/3</Sub>Sb<Sub>2/3</Sub...
- 刘彭义常鹏祝兰陈伟业
- 文献传递
- SiO_2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能被引量：1
- 2010年
- 采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷。SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度。当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323pC/N,Qm=1475,tanδ=0.0038和εr=1762。
- 常鹏刘彭义祝兰
- 关键词：压电陶瓷机电性能
- 烧结温度对PMSZT压电陶瓷相结构和机电性能的影响
- 2009年
- 采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0
- 祝兰刘彭义陈亚君常鹏
- 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅压电性能
- Sb_2O_3掺杂Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.20)(Zr_(0.50)Ti_(0.50))_(0.80)O_3-0.5%MnO_2压电陶瓷性能被引量：1
- 2010年
- 采用二步合成法制备了掺杂z%Sb2O3的Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.50Ti0.50)0.80O3-0.5%MnO2(PZNTM)压电陶瓷(Sb2O3的质量分数为z=0、0.1、0.3、0.5、0.7、0.9)。探讨了不同剂量Sb2O3掺杂对陶瓷试样的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 150℃下烧结3 h,得到处在准同型相界附近的纯钙钛矿结构的陶瓷;随着Sb2O3掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,而介电损耗tanδ持续上升,机械品质因数Qm则持续下降。当z=0.3时,压电陶瓷的性能得到优化,d33和kp均达到最大值,分别为302 pC/N和0.60,而tanδ较小、Qm较大,分别为0.006和880。
- 陈亚君刘彭义祝兰常鹏
- 关键词：准同型相界相结构机电性能
