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石晓红

作品数：20 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 9篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇机械工程

主题

  • 7篇光谱
  • 7篇半导体
  • 6篇施主
  • 3篇砷化镓
  • 3篇光热电离光谱
  • 3篇SI
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化碳
  • 2篇异质结
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇光谱研究
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅锗
  • 2篇硅锗合金
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇硅
  • 2篇HGCDTE
  • 2篇磁场
  • 2篇X

机构

  • 20篇中国科学院
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇南京大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 20篇石晓红
  • 13篇刘普霖
  • 11篇史国良
  • 11篇沈学础
  • 10篇陈张海
  • 5篇陆卫
  • 5篇胡灿明
  • 3篇林成鲁
  • 3篇邹世昌
  • 3篇陈忠辉
  • 2篇张波
  • 2篇朱宏
  • 1篇李标
  • 1篇陆晓峰
  • 1篇汤定元
  • 1篇胡晓宁
  • 1篇龚海梅
  • 1篇曹菊英
  • 1篇沈杰
  • 1篇吴兴龙

传媒

  • 5篇红外与毫米波...
  • 3篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 2篇中国科学（E...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇核技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇量子电子学
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇1998
  • 9篇1997
  • 9篇1996
  • 1篇1995
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮离子注入金刚石薄膜的研究
1997年
采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段研究了不同能量不同剂量的N^+注入对CVD金刚石膜的结构和电学性质的影响.
辛火平林成鲁王建新邹世昌石晓红林梓鑫周祖尧刘祖刚
关键词：氮离子注入金刚石薄膜RAMAN光谱电学性质
半导体红外磁光光谱研究
1996年
半导体红外磁光光谱研究刘普霖，史国良，陈张海，石晓红，胡灿时，陆卫，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海２０００８３）红外光谱与强磁技术的结合是研究半导体及其它功能材料光电性质的重要实验方法。我们知道，通过对电磁辐射在介质中...
刘普霖史国良陈张海石晓红胡灿时陆卫沈学础
关键词：半导体
氮气氛下生长的硅单晶中N-O复合型浅施主的吸收光谱研究
吸收光谱的方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅施主的温度行为。变温测量过程中，除观察到磷和五类与Ｎ、Ｏ相关的复合型浅施主中心Ｄ（Ｎ－Ｏ）ｓ谱线系外，还首次观察到来源于Ｎ－Ｏ复合型浅施主的较高分裂基态的七个系列的浅施...
石晓红刘普霖
关键词：单晶施主吸收光谱
高剂量N^＋注入碳膜形成氮化碳CNx的研究被引量：2
1996年
研究了利用高剂量的Ｎ＋注入碳膜形成氮化碳ＣＮｘ的可能性。对这种新材料进行了傅里叶变换红外吸收光谱、Ｘ射线光电子能谱、Ｘ射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明，在１００ｋｅＶ高剂量Ｎ＋注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的ＣＮｘ化合物。
辛火平石晓红朱宏林成鲁邹世昌
关键词：碳膜氮化碳光电子能谱
掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟
1998年
本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．
陈张海陈忠辉刘普霖石晓红史国良胡灿明沈学础
关键词：LO声子半导体
GaAs中与施主高激发态有关的共振极化子效应被引量：1
1997年
报道了ｎ型ＧａＡｓ的杂质磁光电导谱．在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与ＬＯ声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为。
陈张海陈忠辉刘普霖石晓红史国良沈学础
关键词：砷化镓施主高激发态
半导体磁光理论和红外磁光光谱研究进展被引量：1
1997年
本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结构、杂质缺陷、声子及其它元激发行为等工作中取得的成果，同时对有关理论作一般性介绍。
刘普霖石晓红陈张海胡灿明史国良陆卫沈学础
关键词：元激发半导体
ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备被引量：1
1995年
采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。
辛火平陈逸清石晓红许华平林成鲁邹世昌
关键词：氮化硼薄膜脉冲激光半导体材料
Si_(1-x)Ge_x合金的红外透射光谱被引量：1
1996年
本文报道了4.2～300K 温度范围的富含 Si 的 Si_(1-x)Ge_x 合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到 Ge 杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si_(1-x)Ge_x 合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频方向移动.
石晓红刘普霖史国良沈学础
关键词：硅锗合金红外透射光谱
高纯半导体中类氢浅杂质的光谱研究
石晓红
关键词：半导体
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