田桂
- 作品数：6 被引量：10H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工业大学航天学院复合材料与结构研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省博士后基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法
- 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设...
- 朱嘉琦田桂代兵陈旺寿何小凤
- 文献传递
- X光电子谱辅助Raman光谱表征N含量对非晶金刚石薄膜的结构影响被引量：3
- 2009年
- 用过滤阴极真空电弧沉积系统制备掺N非晶金刚石(ta-C∶N)薄膜,通过在阴极电弧区和沉积室同时通入N2气实现非晶金刚石薄膜的N原子掺杂,并通过控制N2气流速制备不同N原子含量的ta-C∶N薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱分析N含量对ta-C∶N薄膜微观结构的影响。XPS分析结果显示:当N2气流速从2 cm3.min-1增加到20 cm3.min-1时,薄膜中N原子含量从0.84 at.%增加到5.37 at.%,同时随薄膜中N原子含量的增加,XPS C(1s)芯能谱峰位呈现单调增加的趋势,XPS C(1s)芯能谱的半高峰宽也随着N含量的增加而逐渐变宽。在Raman光谱中,随N原子含量增加,G峰的位置从1 561.61 cm-1升高到1 578.81 cm-1。XPS C(1s)芯能谱和Raman光谱分析结果表明:随N含量的增加,XPS C(1s)芯能谱中sp2/sp3值和Raman光谱中ID/IG值均呈上升的趋势,两种结果都说明了随N原子含量增加,薄膜中sp2含量也增加,薄膜结构表现出石墨化倾向。
- 陈旺寿朱嘉琦韩杰才田桂檀满林
- 关键词：RAMAN光谱
- 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法
- 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设...
- 朱嘉琦田桂代兵陈旺寿何小凤
- 文献传递
- 非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究被引量：4
- 2008年
- 以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比p型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上.
- 朱嘉琦卢佳田桂檀满林耿达
- 关键词：非晶金刚石薄膜非晶硅太阳电池P型掺杂
- 溅射工艺参数对硅薄膜微结构影响的Raman分析被引量：3
- 2010年
- 为了解决碳化硅难以进行光学加工的问题,该文采用射频磁控溅射方法,在碳化硅反射镜坯体上沉积与碳化硅具有相近热膨胀系数且易于进行光学加工的硅薄膜。利用拉曼光谱(Raman)对衬底温度、射频功率、衬底偏压等溅射工艺条件对硅膜微结构的影响进行了分析。研究发现:随着衬底温度的升高,薄膜的晶化率先增大后减小;衬底偏压的增加不利于薄膜有序结构的形成;射频功率对薄膜微结构的影响比较复杂,随着功率的升高,薄膜晶粒尺寸减小,晶化率降低,当射频功率进一步升高时,薄膜中有序团簇尺寸和晶化率逐渐升高。但过高的射频功率反而不利于薄膜的晶化。
- 田桂朱嘉琦韩杰才姜春竹贾泽纯
- 关键词：碳化硅反射镜硅薄膜磁控溅射拉曼散射
- 衬底温度对磁控溅射硅薄膜结构性能的影响
- 采用磁控溅射镀膜技术,在不同衬底温度下沉积硅薄膜,利用拉曼(Raman)散射谱、X射线衍射(XRD)研究了衬底温度对薄膜微结构的影响,并对其结果进行分析讨论。研究结果表明,随着衬底温度的升高,表征薄膜微结构的晶粒尺寸和晶...
- 田桂朱嘉琦韩杰才贾泽纯姜春竹
- 关键词：硅薄膜磁控溅射拉曼光谱XRD
- 文献传递
