田四方
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- LiNbO<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/金刚石多层压电膜及其制备方法
- 本发明涉及LiNbO<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/金刚石多层压电膜及其制备方法，有效解决SAW器件的温度稳定性和高c轴取向LiNbO<Sub>3</Sub>薄膜制备问题，技术方案是，在金刚石衬...
- 王新昌田四方王俊喜贾建峰
- 文献传递
- SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。
- 王新昌田四方贾建峰王前进
- 关键词：脉冲激光沉积
- 脉冲激光沉积金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜被引量：1
- 2012年
- 采用等化学计量比的LiNbO3多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术在以非晶SiO2为缓冲层的金刚石/Si衬底上制备c轴取向LiNbO3薄膜。研究了靶材与衬底之间的距离对LiNbO3薄膜的结晶质量和c轴取向性的影响,发现在靶材与衬底之间的距离为4.0cm时获得了具有优异结晶质量的完全c轴取向LiNbO3压电薄膜。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对最佳条件下制备的薄膜进行了分析,结果表明制得的薄膜呈与衬底垂直的柱状结构,且薄膜表面光滑,晶粒均匀致密,表面平均粗糙度约为9.5 nm。
- 田四方梅欣丽赵明岗王前进王新昌
- LiNbO<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/金刚石多层压电膜及其制备方法
- 本发明涉及LiNbO<Sub>3</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/金刚石多层压电膜及其制备方法，有效解决SAW器件的温度稳定性和高c轴取向LiNbO<Sub>3</Sub>薄膜制备问题，技术方案是，在金刚石衬...
- 王新昌田四方王俊喜贾建峰
- 金刚石基LiNbO/_3压电薄膜的制备与声表面波性能研究
- 随着现代电子设备信息处理量的扩大,通信载波频率必须向更高的频段移动,声表面波/(SAW/)滤波器是现代无线移动通信系统的关键器件之一,其频率f由材料的声表面波传播速度V和叉指电极周期L决定,f=V//L。由于所采用的压电...
- 田四方
- 关键词：C轴取向脉冲激光沉积法
- 文献传递
