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王豪

作品数：79 被引量：140H指数：6
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇期刊文章
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  • 1篇会议论文

领域

  • 56篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 5篇医药卫生
  • 3篇理学
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主题

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  • 5篇光接收机
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机构

  • 79篇武汉大学
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作者

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传媒

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年份

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  • 3篇2010
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  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
平面石墨烯纳米带隧穿场效应管理论设计
2015年
不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。从能带结构和传输谱上给出了该器件负微分电阻特性的理论解释,并由器件的输出特性得到了验证。在此基础上对器件的隧穿工作机理做出了探讨。该场效应管在一个器件上实现了多个负微分电阻区域,可应用于多值逻辑电路设计。
赵磊吕亚威常胜王豪黄启俊何进
关键词：石墨烯纳米带场效应管隧穿
一种基于65nm CMOS工艺的77GHz宽带功率放大器被引量：1
2022年
采用65nm CMOS工艺设计了一款基于四路功率合成的77 GHz(E波段)功率放大器。采用电容中和技术抵消密勒电容的负面效应;利用功率合成技术解决MOS管低击穿电压引起的低输出电压摆幅的问题,将多路输出功率高效合成以实现高功率输出。采用共轭匹配和多频点叠加的带宽拓展技术,有效实现电路阻抗匹配和带宽拓展。后仿真结果表明,在79GHz处,该功率放大器的最大增益为20.5dB,-3dB带宽为64GHz~86GHz,输出功率1dB压缩点为12.7dBm,饱和输出功率16.6 dBm,峰值功率附加效率为16.5%。该功率放大器版图面积为0.29 mm^(2);在1.2V供电电压下,功耗为211mW。
纪忠玲何进王豪常胜黄启俊
关键词：功率放大器CMOS功率合成毫米波
一种0.13μmCMOS K波段LNA
2017年
基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种工作于K波段的低噪声放大器。输入匹配采用一种改良π型匹配网络,输出匹配采用L+π型匹配网络,避免了电容击穿的风险和源端大电感的引入。电路使用级间L型匹配的方式,利用第一级电路的输出寄生电容和第二级电路的输入寄生电容,有效地提高了电路的增益,降低了噪声。仿真结果表明,该低噪声放大电路为单电源1.5 V供电,在27 GHz频率处的增益为27 d B,噪声系数为3.75 d B,输入回波损耗和输出回波损耗分别为-11.1 d B和-20.5 d B。
陈婷何进陈鹏伟王豪常胜黄启俊
关键词：K波段CMOS低噪声放大器
基于隧穿二极管的集约三值全加器设计
2016年
多值逻辑(MVL)相对二值逻辑具有更高的逻辑密度,可以相对简单的结构承载更多的信息,是一条值得探索的提升电路信息处理能力的途径。以共振隧穿二极管(RTD)为主要器件,设计了一种带有进位信号的集约三值全加器电路。不同于传统的设计方法,该设计结合进位信号的逻辑特点和RTD电路的特性,使用较少的器件实现了逻辑功能,极大地降低了电路的复杂度,适应于大规模MVL电路的设计。该设计弥补了MVL电路在功能级上的空缺,丰富了MVL电路的类型,对今后基于MVL发展更复杂的电路系统打下了基础。
纪堉超常胜王豪何进黄启俊
关键词：门电路
内调制光电探测器光生电压的模型分析
2007年
针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响,以及横向发生的抽取效应对受光结的影响,从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发,通过计算输出电流Id,得出了内调制光电探测器受光结光生电压Vop与栅压Vg的函数关系式,并依此建立了模型,该模型与实验结果基本吻合.由于该模型采用了电路形式,可以用PSPICE等软件进行模拟,这为研究内调制光电探测器的内部性质提供了理论基础.
吴凡黄启俊常胜王豪孙平梁韶华
关键词：光生电压
纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文)
2011年
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、电流密度等)可以被求得,观察了由栅极注入效应导致的二维电荷分布,并对不同电介质材料对栅极漏电流的影响进行了研究。此外,还通过调整电介质参数并进行比较的方法,研究了电介质的有效质量、介电常数、导带偏移对栅极漏电流的影响。该模拟方法为双栅MOSFET中载流子自栅极的注入提供了良好的物理图景,对器件特性的分析和比较有助于栅氧层高k电介质材料的选取。
唐睿王豪常胜胡月王高峰
关键词：量子效应双栅MOSFET栅极漏电流
石墨烯纳米带场效应管结构优化被引量：1
2013年
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注。以数字电路应用为指向,基于密度泛函理论的计算仿真,对GNRFET的结构设计优化进行了研究。分析了宽度N=3m和N=3m+1(m为正整数)两系列半导体型石墨烯纳米带的传输特性,结果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯纳米带(armchair GNR,AGNR)更适合作为晶体管的沟道。研究了掺杂对GNRFET性能的影响,得到明显n型特性,并确定了掺杂位置;探讨了沟道长度对器件的影响,得到了较大的开关电流比(约1 700)和较小的亚阈值摆幅(30～40 mV/decade)。这些优化手段有效提高了GNRFET的性能,可指导其设计和制备。
赵磊赵柏衡常胜王豪黄启俊
关键词：结构优化掺杂
一种0.13μm CMOS K波段宽带功率放大器被引量：1
2019年
基于0.13μm CMOS工艺,采用多频点叠加的方式,设计了一种K波段宽带功率放大器。输入级采用晶体管源极感性退化方式,实现了宽带输入匹配。驱动级采用自偏置共源共栅放大器,为电路提供了较高的增益。输出级采用共源极放大器,保证电路具有较高的输出功率。后仿真结果表明,在26GHz处,该功率放大器的增益为22dB,-3dB带宽覆盖范围为22.5~30.5GHz,输出功率1dB压缩点为8.51dBm,饱和输出功率为11.6dBm,峰值附加功率效率为18.7%。
侯昊民何进彭尧邓天传王豪常胜黄启俊
关键词：K波段功率放大器宽带
一种低损耗高耦合片上变压器的设计
2016年
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率。同时对地面层进行了改进,在100 GHz时,耦合因子k从0.81增大到0.95,并探讨了线圈直径d和宽度w对变压器性能的影响。该变压器在89 GHz时Q达到最大值18.5,在30-150 GHz频率范围内耦合因子k为0.65-1,最大可用增益Gmax接近于1,该变压器可应用于毫米波集成电路设计中改善电路性能。
王宇奇何进罗将王豪常胜黄启俊熊永忠
关键词：毫米波低损耗
一种基于知识蒸馏的量化卷积神经网络FPGA部署
2024年
设计了一种针对心电数据实时分类的量化神经网络,将权重量化为两位整数,运用知识蒸馏的方法使性能达到了期望的效果,并部署于FPGA开发板上。知识蒸馏后的量化网络比全精度网络的分类准确率提升了9%。在FPGA开发板上的运行结果符合预期,达到了需要的性能,可以对左束支传导阻滞(L)、右束支传导阻滞(R)、正常心拍(N)和室性早搏综合征(V)四种心电信号进行分类,相比于其他量化方式对存储参数的需求更小,资源使用更少,相比于CPU速度提升了1.5倍,运行时间达到实时性要求,适合于部署在小型、轻量化的资源有限的可穿戴设备上。
罗德宇郭千禧张怀诚黄启俊王豪
关键词：心电信号FPGA
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