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王生艳

作品数:5 被引量:14H指数:3
供职机构:河南理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:河南省教育厅科学技术研究重点项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇金刚石
  • 5篇刚石
  • 2篇叶蜡石
  • 2篇金刚石合成
  • 2篇合金
  • 2篇白云石
  • 2篇超硬
  • 1篇石墨
  • 1篇高温高压
  • 1篇半导体
  • 1篇宝石级
  • 1篇宝石级金刚石
  • 1篇N型半导体
  • 1篇P型
  • 1篇P型半导体
  • 1篇掺硼
  • 1篇掺杂

机构

  • 5篇河南理工大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇焦作师范高等...

作者

  • 5篇王生艳
  • 5篇李尚升
  • 4篇宋东亮
  • 3篇胡美华
  • 3篇胡强
  • 3篇宿太超
  • 2篇朱贞卫
  • 1篇许安涛
  • 1篇马红安
  • 1篇贾晓鹏
  • 1篇王健康
  • 1篇韩飞

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
p型半导体金刚石研究现状被引量:4
2015年
在普通金刚石中掺入某些杂质元素可以使其具有更为优异的物理和机械性能。掺入硼元素可以使普通金刚石具有p型半导体特性。目前,对于p型半导体金刚石膜材料研究较多,而对于高温高压下合成的p型半导体金刚石单晶体材料研究相对较少。本文介绍了p型含硼半导体金刚石膜材料及高温高压下合成掺硼金刚石单晶体材料的研究现状。由此指出具备p型半导体特性的Ⅱb型金刚石大单晶是适合硼重掺杂的首选材料。重掺硼的Ⅱb型金刚石大单晶具备大尺寸及优良的半导体特性必将大大拓宽p型半导体金刚石的应用范围。
王生艳李尚升刘书强宋东亮朱淑俊
关键词:掺硼P型半导体金刚石
不同类型宝石级金刚石生长过程中石墨的不同析出形式被引量:5
2014年
在压力5.3 GPa、温度1603 K的FeNiCo(wt%55∶29∶16)触媒中沿{111}面合成Ⅰb型及Ⅱa型宝石级金刚石过程中金刚石周围分别伴随有片状及粉末状石墨析出。这两种不同形态的石墨均会对金刚石生长产生不利影响。对这两种石墨进行XRD和SEM测试分析表明:生长Ⅰb型和Ⅱa型金刚石时所析出的石墨分别为再结晶石墨和微晶石墨。本文分析了这两种石墨析出原因的异同点。
李尚升宋东亮刘书强王生艳宿太超胡美华胡强马红安贾晓鹏
关键词:高温高压宝石级金刚石石墨
一种由合金发热管加热的金刚石合成装置
本发明提供一种由合金发热管加热的金刚石合成装置,其从里层到外层依次包括用于作为实现金刚石合成容器的大腔体,用于构成大腔体内壁的氧化镁层,用于通过金属片连通外部电源与合金发热管的钢圈,用于对金刚石合成进行加热的合金发热管,...
李尚升宿太超朱贞卫胡强胡美华宋东亮王生艳
文献传递
一种由合金发热管加热的金刚石合成装置
本发明提供一种由合金发热管加热的金刚石合成装置,其从里层到外层依次包括用于作为实现金刚石合成容器的大腔体,用于构成大腔体内壁的氧化镁层,用于通过金属片连通外部电源与合金发热管的钢圈,用于对金刚石合成进行加热的合金发热管,...
李尚升宿太超朱贞卫胡强胡美华宋东亮王生艳
文献传递
N型半导体金刚石的研究现状与展望被引量:7
2016年
作为半导体材料的金刚石具有宽的禁带宽度和高的热导率、介质击穿场强等优异性质,因此其应用前景广阔。P型金刚石发展较N型金刚石成熟。因为缺乏可实用的N型金刚石材料,这使得金刚石半导体器件的应用难以实现。因此N型半导体金刚石成为研究者关注的焦点。论文从掺杂元素和制备方法两方面详细介绍了国内外N型金刚石的研究现状。硼与磷或硫元素共掺杂获得N型金刚石的研究取得了较大进展;利用化学气相沉积法和离子注入法制备N型半导体金刚石研究较多且取得了一定进展。高压高温下的温度梯度法便于掺杂调控金刚石性能,因而利用该法合成N型半导体金刚石大单晶值得尝试。
李尚升许安涛王生艳刘书强于昆鹏王健康韩飞
关键词:金刚石N型半导体掺杂
全文增补中
共1页<1>
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