王国强
- 作品数：47 被引量：25H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种单片高增益低噪声放大器
- 本发明公开了一种单片高增益低噪声放大器，它包括：第一级放大电路、第二级放大电路、一个电阻反馈网络、一个输入匹配网络、一个输出匹配网络。本发明的低噪声放大器工作在10MHz～550MHz频带内，无须外部输入输出匹配，电路简...
- 王国强刘伦才李勇何峥嵘罗璞邓江
- 文献传递
- X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
- 2024年
- 文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带匹配等技术实现X波段的工作频率全覆盖,并实现较低的噪声系数。测试结果表明,在8~12 GHz频率范围内,低噪声放大器功率增益大于23 dB,噪声系数小于1.7 dB,输出1 dB压缩点功率大于13 dBm。
- 王国强蒲颜万瑞捷聂荣邹朱海
- 关键词：低噪声放大器X波段
- 工作电压可调的宽带高线性度GaAs HBT功率放大器
- 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种工作电压可调的宽带高线性度GaAs HBT功率放大器；所述功率放大器包括采用可调有源偏置N级负反馈功率放大架构，有利于实现电源电压可调的宽带高线性度功率放大器。其中，偏置电路...
- 黄亮朱海要栗蒲颜王国强
- 一种提高功率放大器线性度的偏置电路和功率放大器
- 本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种提高功率放大器线性度的偏置电路和功率放大器；包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电感Lbias、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3；本发明所采用的偏置电路结构，补偿了功率放大器...
- 朱海黄亮周宏波蒲颜熊翼通王国强
- 一种采用低阈值技术实现的高速模数转换器
- 2022年
- 在0.35μm标准CMOS工艺下实现了一款采用低阈值技术的高速流水线模数转换器。该转换器包括采样保持电路、流水线ADC核、时钟电路和基准电路。相比于传统电路,该模数转换器中采样保持电路的放大器采用了低阈值设计技术。其优势在于,在特定工艺下,通过低阈值器件补偿放大器可实现高增益带宽,提高了模数转换器的速度。同时,设计了一种全新的保护电路,可有效保证电路的正常工作。采用一种独特的偏置电路设计技术,不仅能够优化跨导放大器的增益和带宽,还可以调节MOS器件工作状态。转换器采用4 bit+8×1.5 bit+3 bit的十级流水线架构,实现了14位精度的模数转换功能。在5 V电源100 MHz时钟下,仿真结果表明,SINAD为74.76 dB,SFDR为87.63 dBc,面积为5 mm×5 mm。
- 曾涛郭亮侯江廖望陈雪王国强黄晓宗
- 关键词：流水线ADC保护电路偏置电路
- 一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器
- 本发明属于半导体集成电路领域，具体涉及一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器，包括：N个Cascode放大单元、输入隔直电容、输出隔直电容、基极人工传输线、偏置调制网络、集电极人工传输线、集电极吸收网络、集电极偏置...
- 聂荣邹蒲颜聂长敏黄亮熊翼通王国强
- 系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案被引量：1
- 2018年
- 提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600V提升至2 500V。片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中。
- 黄晓宗干旭春刘凡刘凡黄文刚黄文刚朱冬梅王国强
- 关键词：ESD保护寄生效应系统级封装
- 具有陷波器结构的高隔离度射频开关
- 本发明公开了一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关，它包括一个基本匹配式单刀单掷射频开关单元和一个桥T型陷波器单元。本发明在基本匹配式单刀单掷射频开关单元的基础上增加了电阻R<Sub>7b</Sub>、键合丝寄生电感L<S...
- 刘成鹏王国强何峥嵘邹伟蒲颜
- 文献传递
- 基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计
- 2023年
- 针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法。分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系,给出了放大器最佳三阶交调直流偏置点。提出了一种优化散热的输出级分散布局电路结构,减小了片上温升带来的三阶交调性能恶化。应用提出的优化设计理论方法,基于2μm AlGaAs/GaAs HBT工艺,设计了一款工作于0.05~1 GHz的低三阶交调失真射频放大器。测试结果表明,该放大器实现了42.1 dBm的输出三阶交调点,三阶交调与1 dB压缩点之比达到了21.2 dB。
- 熊翼通喻阳蒲颜张峪铭王国强
- 关键词：HBT射频放大器三阶交调
- 一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路
- 本发明提供一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路，本发明的正压转负压逻辑电路通过输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元的结构设计，就可以将输入的正压逻辑信号转换为输出互...
- 何峥嵘王国强刘成鹏蒲颜熊翼通潘少俊
