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焦翠灵

作品数：41 被引量：26H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 19篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 10篇理学
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇天文地球
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 22篇碲镉汞
  • 16篇气相外延
  • 8篇石英
  • 7篇气相外延生长
  • 7篇晶体
  • 7篇HGCDTE
  • 6篇晶体生长
  • 6篇光谱
  • 6篇P型
  • 5篇液相外延
  • 5篇砂口
  • 5篇输运
  • 5篇碲镉汞材料
  • 5篇微重力
  • 5篇磁输运
  • 4篇气相
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格失配
  • 3篇等温
  • 3篇载流子

机构

  • 41篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 41篇焦翠灵
  • 36篇王仍
  • 34篇陆液
  • 27篇张莉萍
  • 27篇李向阳
  • 26篇林杏潮
  • 22篇邵秀华
  • 19篇张可锋
  • 19篇杜云辰
  • 11篇徐国庆
  • 7篇乔辉
  • 7篇张可峰
  • 5篇陆荣
  • 4篇王妮丽
  • 3篇赵守仁
  • 2篇宋坤骏
  • 2篇陈新强
  • 2篇魏彦锋
  • 2篇张诚
  • 2篇杨晓阳

传媒

  • 8篇红外与毫米波...
  • 3篇红外
  • 2篇空间科学学报
  • 2篇激光与红外
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光子学报
  • 1篇第三届全国先...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量：5
2014年
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可峰杜云辰李向阳张莉萍邵秀华林杏潮
关键词：气相外延拉曼光谱
天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析（英文）
2019年
在微重力条件下生长了 ZnTe:Cu 晶体对其进行了光学和能谱分析在晶锭尾部最大结晶区对其进行了组分分析.对于尾部的轴向分量在空间样品中 Cu 的成分均匀性优于地面样品并且 Te/ Zn 比的样品高于空间样品.尾部空间样品中 Cu 的径向成分均匀性优于地面样品且 Te 偏析更为严重.
王仍陆液焦翠灵乔辉李向阳
关键词：微重力晶体能谱分析
Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究被引量：1
2015年
利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).
焦翠灵王仍张莉萍林杏潮邵秀华杜云辰陆液
关键词：碲镉汞雪崩光电二极管红外透射光谱
一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法
本发明公开了一种低成本HgTe三维拓扑材料生长方法。第一步、HgTe源采用1：1配比，得到正化学配比的HgTe拓扑材料。HgTe源在700℃下进行高温高压合成，合成过程中保持8h摇摆混合，确保HgTe源的均匀分布，最后冲...
王仍焦翠灵陆液霍勤张成乔辉李向阳
文献传递
微重力ZnTe:Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析被引量：1
2018年
利用Te熔剂方法,在天宫二号飞船上成功地生长了ZnTe:Cu晶体.微重力下生长的晶体质量优于地面生长的晶体,相同实验条件下,天宫二号上生长的晶体尺寸明显大于地面尺寸.通过阴极荧光光谱(CL)无损检测技术测试了5 kV、15 kV、25 kV高压下的ZnTe:Cu晶体的阴极荧光图谱及光谱.
王仍陆液焦翠灵李向阳
关键词：微重力
用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟
本专利公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的多功能石磨舟，该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成，石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内，石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部，对石墨底座进行密封。该石墨舟...
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
文献传递
碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法
本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的N型薄膜材料调整到77K空穴浓度为0.5～10×10<Sup>16<...
焦翠灵王仍徐国庆林杏潮张莉萍邵秀华张可锋杜云辰陆液
文献传递
一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法
本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延，材料在77k温度下，金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm<Sup>2</Sup>/Vs，载流子浓度可以达到2×10<S...
王仍焦翠灵徐国庆杨晓阳张可峰张莉萍林杏潮陆液杜云辰邵秀华李向阳
文献传递
金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究被引量：1
2016年
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势。利用SIMS技术还分析了Ⅰ、Ⅱ族和Ⅵ、Ⅶ族杂质在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用。研究结果对提高探测器的性能具有指导意义。
王仍焦翠灵张莉萍陆液张可锋杜云辰李向阳
关键词：二次离子质谱气相外延
高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
本专利公开了一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
文献传递
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