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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇透过率
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇靶材
  • 1篇CU-AL
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇兰伟
  • 1篇刘雪芹
  • 1篇潘佳奇
  • 1篇李育仁
  • 1篇苏庆
  • 1篇朱承泉
  • 1篇谢二庆

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究被引量:1
2011年
考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9:1的多晶CuAlO2靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52eV,与CuAlO2相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500℃附近薄膜电导率达到2.48×10-3S·cm-1.
潘佳奇朱承泉李育仁兰伟苏庆刘雪芹谢二庆
关键词:衬底温度透过率电导率
共1页<1>
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