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温振超

作品数：25 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 14篇多层膜
  • 10篇存储器
  • 8篇势垒
  • 8篇逻辑器件
  • 8篇磁性多层膜
  • 7篇振荡器
  • 7篇随机存取
  • 7篇随机存取存储...
  • 7篇自旋
  • 7篇存取
  • 6篇微波振荡器
  • 6篇微加工
  • 6篇磁矩
  • 5篇晶体管
  • 4篇随机存储器
  • 4篇隧道结
  • 4篇抗辐射
  • 4篇层数
  • 4篇产品化
  • 4篇超导

机构

  • 25篇中国科学院

作者

  • 25篇温振超
  • 25篇韩秀峰
  • 16篇刘东屏
  • 6篇张曙丰
  • 5篇魏红祥
  • 5篇杜关祥
  • 4篇韩宇男
  • 4篇于国强
  • 4篇王译
  • 4篇赵静
  • 2篇瑞哈娜
  • 2篇张佳
  • 2篇马明
  • 2篇姜丽仙
  • 2篇覃启航
  • 2篇陈军养
  • 2篇张晓光
  • 2篇梁世恒
  • 1篇彭子龙
  • 1篇刘厚方

传媒

  • 1篇科技导报
  • 1篇物理

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种闭合的超导环状多层膜，其特征在于：所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或矩形环；椭圆内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1～5，椭圆外环的短轴为20～200000nm；矩形内环的宽度...
温振超刘东屏韩宇男马明覃启航韩秀峰
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一种用于超导器件的超导多层膜及其制备方法
本发明涉及一种用于超导器件的超导多层膜，其包括沉积在衬底上的多层膜，该多层膜的横截面为闭合的正N边形环，其中，N为大于或等于3的正整数。所述的正N边形环的内环边长为10～100000nm，外环边长为20～200000nm...
温振超刘东屏杜关祥赵静韩秀峰
文献传递
一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途
本发明公开了一种微波振荡器及其制作方法和控制方法与用途。该微波振荡器的制作方法，包括如下的步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积磁性单层膜，并形成闭合或非闭合环状磁性单层膜单元；在所述磁性单层膜单元上形成一对输入端电极和至少一...
温振超魏红祥张曙丰韩秀峰
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具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管
本发明涉及具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管。一种磁性隧道结包括：第一参考层，由磁性导电材料形成并且具有固定的磁化方向；第一势垒层，设置在所述第一参考层上并且由绝缘材料形成；自由层，设置在所述第一势垒层上...
温振超陶丙山袁忠辉姜丽仙韩秀峰
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一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器
本发明公开了一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器。本发明的磁性多层膜自下而上地包括：第一反铁磁层；第一硬磁层；第一非磁性金属层；第二软磁层；隧道势垒层；第三软磁层；第二非磁性金属层；第四硬磁层；和第二反铁磁层...
梁世恒刘东屏温振超韩秀峰
一种用于超导器件的超导多层膜及其制备方法
本发明涉及一种用于超导器件的超导多层膜，其包括沉积在衬底上的多层膜，该多层膜的横截面为闭合的正N边形环，其中，N为大于或等于3的正整数。所述的正N边形环的内环边长为10～100000nm，外环边长为20～200000nm...
温振超刘东屏杜关祥赵静韩秀峰
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自旋微波振荡器和自旋微波检测器
本发明提供了一种自旋微波振荡器和一种自旋微波检测器。本发明的自旋微波振荡器是直接用直流电流控制的基于自旋角动量转移原理的微波振荡和输出，或者更可以利用直流电流和外加静磁场联合调控的微波振荡器，具有小型化，高的集成度，低功...
王译于国强刘东屏温振超韩秀峰
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一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途
本发明公开了一种微波振荡器及其制作方法和控制方法与用途。该微波振荡器的制作方法，包括如下的步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积磁性单层膜，并形成闭合或非闭合环状磁性单层膜单元；在所述磁性单层膜单元上形成一对输入端电极和至少一...
温振超魏红祥张曙丰韩秀峰
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一种自旋晶体管
本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层，...
刘东屏温振超瑞哈娜莎麦拉韩秀峰
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一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器
本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层...
陈军养刘东屏温振超韩秀峰张曙丰
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