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沈中元

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金西北工业大学研究生创业种子基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇纳米
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电磁性能
  • 1篇形貌
  • 1篇石墨纳米带
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇气相沉积
  • 1篇吸波
  • 1篇吸波材料
  • 1篇纳米带
  • 1篇纳米管
  • 1篇介孔
  • 1篇介孔碳
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯胺复合
  • 1篇聚苯胺复合材...
  • 1篇化学掺杂
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 3篇西北工业大学

作者

  • 3篇吴宏景
  • 3篇沈中元
  • 3篇赵景辉
  • 3篇王六定
  • 1篇李昭宁
  • 1篇王小冬
  • 1篇席彩萍

传媒

  • 2篇材料开发与应...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究
2011年
本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响。结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或p型半导体。纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响。
李昭宁王六定王小冬席彩萍沈中元赵景辉吴宏景
关键词:化学掺杂石墨纳米带第一性原理
辅助气体对RF-PECVD制备碳纳米管薄膜形貌的影响被引量:2
2012年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以Ni为催化剂,经600℃裂解C2H2在Si基底上制备出定向碳纳米管薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了刻蚀后Ni颗粒与沉积的碳纳米管薄膜的形貌。研究了辅助气体对等离子体预处理催化剂与碳纳米管生长的影响。结果表明:辅助气体(H2与N2)流量比对催化剂颗粒尺寸、分布以及碳纳米管生长有显著影响;合适的气体流量比有利于减少碳纳米管薄膜的杂质颗粒,促进其定向生长。预处理过程中气体流量比H2:N2=20:5时,预处理后催化剂Ni颗粒分布密度大、粒径小且分布范围窄,适合碳纳米管均匀着床;沉积生长碳纳米管薄膜时,H2:N2=20:15可得到纯度高、定向性好的碳纳米管。
赵景辉王六定沈中元吴宏景
关键词:碳纳米管辅助气体化学气相沉积
掺镍介孔碳/聚苯胺复合材料吸波性能研究
2012年
在制备出含镍介孔碳(OMC-Ni)和十二烷基苯磺酸钠(LAS)/HCl掺杂聚苯胺(PANI)复合物基础上,采用同轴传输线法测试了材料在2-18 GHz范围的电磁参数并获得其吸波性能。结果表明:提高介孔碳中镍掺杂量及改变复合物中PANI含量均能有效提高材料的反射损耗,且有效吸收带宽(≤–10 dB)与材料匹配厚度密切相关,如OMC-Ni0.05/PANI厚度d=1.9 mm时有效带宽为5.0 GHz(10.7–15.7 GHz)。
沈中元王六定赵景辉吴宏景
关键词:吸波材料介孔碳电磁性能
共1页<1>
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